集 成 電 路 及 電 子 部 件 - 2021.pdf

一般不受管制的 集成電路、電子零件和裝備 下列集成電路、電子零件和裝備，在一般情況下都不會施加進／出口簽證 管制，除非其用作與核子、化學或生物武器或能發射該等武器的導彈有關 的用途。 重 要 須 知 – 有 顏 色 標 示 ， 且 帶 有 * 號 標 記 的 物 品 是 更 新 項 目 。 在《 2021 年 進 出 口（ 戰 略 物 品 ）規 例（ 修 訂 附 表 1及 2）令 》於 2021年 9月 17日 生 效 後， 這些更新項目屬不受進出口許可證管制物品。 (A) 電 子 零 件 ， 例 如 ： 低 能 量 儲 存 電 容 器 、 電 阻 、 二 極 管 （ 其 持 續 電 流 不 超 過 1 安 倍 ） 和 微 波 電 晶 體 管 （ 其 操 作 頻 率 不 超 逾 2.7 千 兆 赫 及 其 持 續電流不超過 1 安倍） (B) 下 列 並 非 設 計 成 或 評 定 為 能 抵 受 輻 射 的 集 成 電 路 ： （注意：本部分所述的集成電路，其操作周圍溫度並無限制。） (1) 下 列 操 作 頻 率 不 超 逾 2.7 千 兆 赫 的 功 率 放 大 器 集 成 電 路 ： (a) 運 算 放 大 器 (b) 隔 離 放 大 器 (c) 測 量 放 大 器 (d) 音 頻 放 大 器 (2) 下列電壓集成電路： (a) (b) 電壓比較器 電壓參考基準器 (c) 電壓調節器 (3) 下列並非由化合物半導體製造的儲存集成電路： (a) 動 態 隨 機 存 取 記 憶 體 (DRAM) ， 包 括 快 速 頁 隨 機 存 取 記 憶 體 (Fast Page RAM)、擴 充 數 據 輸 出 隨 機 存 取 記 憶 體 (EDO-RAM)、 同 步 動 態 隨 機 存 取 記 憶 體 (SDRAM)，以 及 同 步 繪 圖 隨 機 存 取 記 憶 體 (SGRAM) (b) 未 程 式 的 紫 外 光 可 清 除 可 程 式 唯 讀 記 憶 體 (UV-EPROM) (4) 74 系 列 、 54 系 列 和 4000 系 列 中 的 邏 輯 集 成 電 路 -2- (5) 為 應 用 於 民 用 汽 車 電 子 設 備 而 設 計 或 編 排 程 式 的 集 成 電 路 （ 例 如 ： 應用於娛樂、測量、安全、舒適或操作） (6) 為應 用 於家 庭 電子 設備 而 設計 或 編排 程式 的 集成 電 路（ 例如：應 用於影音設備、用具、安全、教育、舒適、遙控玩具或娛樂） (7) 為應用於計時設備而設計或編排程式的集成電路（例如：應用於 錶、鐘） (C) 下 列 並 非 設 計 成 或 評 定 為 能 抵 受 輻 射 ， 以 及 並 非 評 定 為 可 在 周 圍 溫 度 攝 氏 -55 度 以 下、攝 氏 125 度 以 上，或 攝 氏 -55 度 至 攝 氏 125 度 整 個 範 圍內操作的硅基集成電路： (1) 下列沒有具備密碼功能的微處理器集成電路： (a) 英 特 爾 (Intel)處 理 器，例 如 Celeron、Celeron D、Pentium III、 Pentium III Xeon、 Pentium 4、 Pentium D、 Pentium 處 理 器 極 度 版 本、流 動 Pentium 4、Pentium M、Itanium、Atom、Xeon、 Pentium 及 Core 家 族 ， 不 論 任 何 時 鐘 頻 率 (b) (c) (d) AMD 處 理 器，例 如 Athlon、Duron、Sempron、Turion、Opteron、 Phenom、 Ryzen 及 A-series， 不 論 任 何 時 鐘 頻 率 摩 托 羅 拉 (Motorola) 處 理 器（ 安 全 處 理 器 除 外，該 類 處 理 器 應根據密碼功能作評估） PowerPC G3 、 G4、 G5 和 G6， 不 論 任 何 時 鐘 頻 率 (2) 下列並非由化合物半導體製造的儲存集成電路： (a) 非 易 失 性 記 憶 體 (b) 靜 態 隨 機 存 取 記 憶 體 (SRAM) (3) 下列的模擬－數字轉換器集成電路： (a) 解 析 度 少 於 8 位 元 (b) 解 析 度 為 8 位 元 或 以 上 ， 但 少 於 10 位 元 ， 而 樣 本 率 為 每 秒 1300*兆 樣 本 或 以 下 (c) 解 析 度 為 10 位 元 或 以 上 ， 但 少 於 12 位 元 ， 而 樣 本 率 為 每 秒 600*兆 樣 本 或 以 下 (d) 解 析 度 為 12 位 元，但 少 於 14 位 元，而 樣 本 率 為 每 秒 400*兆 樣本或以下 (e) 解 析 度 超 過 12 位 元 ， 但 相 等 於 或 少 於 14 位 元 ， 而 樣 本 率 為 每 秒 250*兆 樣 本 或 以 下 -3- (f) 解 析 度 為 16 位 元 或 以 上，而 樣 本 率 為 每 秒 65*兆 樣 本 或 以 下 (4) 符合下列任何特性的數字－模擬轉換器集成電路： (a) 解 析 度 少 於 10 位 元 (b) 解 析 度 少 於 12 位 元 ， 而 修 正 更 新 率 每 秒 不 大 於 3500 兆 樣 本 (5) 具有下列各項特性的可場程式邏輯裝置： (a) 單 數 碼 輸 入 ／ 輸 出 的 最 大 數 量 不 大 於 700 (b) 單 向 最 高 串 行 收 發 器 的 總 數 據 率 少 於 每 秒 500 千 兆 位 元 (D) 特 別 設 計 並 沒 有 密 碼 功 能 而 用 於 電 訊 裝 備 的 零 件 、 集 成 電 路 或 模 組 ， 例 如 用 於 調 頻 ／ 調 幅 (FM/AM)收 音 機 的 集 成 電 路、集 成 通 訊 微 處 理 器、 數字式高速通訊用雷射器模組、數字式用戶線路收發器，以及使用於 廣 域 網 絡 、 區 域 網 絡 、 非 同 步 式 輸 送 模 式 (ATM)、 T1、 T3、 E1、 E3 或 非 對 稱 數 字 用 戶 線 路 (ADS L)標 準 中 的 通 訊 控 制 器 (E) 一 般 用 途 電 子 裝 備 ： (1) 操 作 頻 率 為 31.8 千 兆 赫 或 以 下 的 射 頻 訊 號 分 析 器 (2) 最 大 合 成 頻 率 為 31.8 千 兆 赫 或 以 下 的 訊 號 產 生 器 (3) 最 大 操 作 頻 率 為 43.5 千 兆 赫 或 以 下 的 網 絡 分 析 儀 (4) 最 大 操 作 頻 率 為 110 千 兆 赫 或 以 下 的 微 波 測 試 接 收 器 注 意： 上 述 清 單 並 非 詳 盡 無 遺，不 應 視 作 正 式 的 分 類 指 示。進 ／ 出 口 商 如 欲得知詳細的資料，請參閱上述的附表。如有關物品是特別設計或改裝以 作軍事、核子或航天用途，或用於其他受附表 1 管制的戰略物品，上述清 單將不適用。 工業貿易署 2021 年 9 月 16 日