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计算谱学表征.pdf

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计算谱学 李震宇 (USTC) Outline  原子振动 点阵动力学  红外光谱   电子激发  吸收光谱  化学位移  光电子能谱  电子输运  扫描隧道显微图像与谱 http://staff.ustc.edu.cn/~zyli/teaching.html 振动激发  Hessian矩阵 ,可以通过有限差分得到  质量权重的Hessian矩阵  在谐振子近似下,振动频率为F矩阵本征值的平方根 ,简正模为F矩阵的本征矢量。  非谐性效应可以通过分子动力学模拟,由偶极矩关联 函数得到 密度泛函微扰理论  线性响应-->Hessian矩阵  2n+1定理:从波函数n阶导数可求能量2n+1阶导数  自洽方程  直接对二阶能量微扰变分求解 点阵动力学  而对于周期性体系  声子带结构  红外、拉曼活性分析 其中T为晶格平移矢量, k为第一布里渊区的矢 量 红外光谱  红外强度可通过原子极化张量A得到。A是总能量对笛 卡尔坐标和偶极距的二阶微分  振子强度可通过跃迁偶极距写成 F’ 为简正模的本征矢量  也可通过密度泛函微扰方法计算体系中所有原子的波 恩有效电荷从而得到强度 介电响应  实验上:静态和频率依赖的介电响应函数可用来模拟实验 上观测到金属和半导体的光学性质,如吸收、反射及能量 损失等。  理论上: 在很多post-DFT理论框架中都用到频率依赖的极 化矩阵:  GW 频率依赖的微观介电响应  自能中库伦奇点(Coulomb singularity)的解析积分需要用到频率依 赖的宏观介电张量  介电张量与极化率  宏观介电张量联系材料中的电场和外电场  对纵向场(longitudinal),上式在动量空间和长波极限下 可写为  在弱场下,根据线性响应理论有  上面这些量满足如下关系 宏观量和微观量  宏观介电函数在实空间和动量空间分别表示为:  微观介电函数在实空间和动量空间分别写做:  微观量和宏观量的联系为 局域场效应  假设外场的变化尺度远大于原子间距,则有  对于微观尺度上各向同性的材料, 素为0 忽略局域场效应 非对角元 微观介电函数  纵向微观介电函数  Dyson方程 极化率  独立粒子近似  波函数表达式 光学性质  介电矩阵的长波极限(q0)决定了光学探测范围内的 光学性质  宏观介电张量  近似计算方法 独立粒子近似  先求 Kronig变换得到  对q展开 的虚部,实部通过Kramers- 无规相近似  在Kohn-Sham系统中,下列关系成立 DFT xc-kernel  Random phase Approximation 空态  矩阵对角化迭代算法对高能带通常收敛性较差  三步法 标准SCF计算  通过直接对角化得到一定数量虚态 (ALGO=Exact)  介电性质计算(ALGO=CHI or LOPTICS=.TRUE.)  光电子能谱  紫外光电子谱(UPS):入射光子能量在真空紫外能量 范围,击出原子或分子的价电子,探测电子的能量分 布。可以用来研究气体样品的价电子结构和精细结构 以及固体样品表面的原子、电子结构。  可近似通过计算DOS来进行模拟。 X射线光电子能谱(XPS)  芯电子的束缚能受原子周围化学环境影响,因此XPS 可以探测表面物种及其局域结构。 近似模型  常见的近似:  初态近似 Eb= εF-εc  εF 终态近似 Eb= E(N-1)-EN  Z+1近似 Eb = E(Z+1)-EN εc 原子数 Z 体系能量 EN Z Z+1 E (N-1) E (Z+1) VASP计算  初态近似   终态近似       ICORELECEL = 1 ICORELECEL = 2 CLNT= 所需激发原子在POSCAR中的排序 CLN = 所激发电子的主量子数 CLL = 所激发电子的角动量量子数 CLZ = 所激发电子的数目 (1或者0.5) Z+1近似  将所激发的原子换成原子序数比其大1的元素 结果分析  初态近似,得到各KS轨道的能级,利用其和费米能级 的差值作为结合能。该计算未考虑体系失去芯电子之 后的弛豫。  终态近似,需要和未激发的基态能量做差值,且如计 算中所计算的原子在不同的体系中,需要考虑体系的 功函数。 Z+1近似的分析和终态结果类似。  计算所得的差值无法和实验直接对比,只有不同化学 环境的相对位移和实验有可比性。  计算只得到了谱峰的相对位置,没有强度,近似处理 可以按照不同化学环境的原子数目做拟合。  未考虑自旋-轨道耦合的作用 扫描隧道显微镜/谱  一维隧穿模型  | n (0) |2 e 2kd k  2m /   0.51  I EF 2  2 kd |  ( 0 ) | e  n En  EF eV Bardeen公式  2   *  *  M st  [  t (r ) s (r )   s (r ) t (r )]dS   2m 2 4e    ( E  eV  E )  ( E  E ) M dE I [ f ( E F  eV  E )  f ( E F  E )] s F t F    eV I    s ( E F  eV  E )  t ( E F  E )dE 0 Tersoff-Hamann近似  对针尖波函数做球形波近似   exp( | r  r0 |) 1   c t ReR t  | r  r0 |  隧穿电流正比于局域态密度 I  EF EF eV   s (r0 , E)dE  STS可通过分态密度来模拟 上机实践  体相Si Lattice dynamics  IR、Raman活性分析   石墨烯氧化物 XPS  STM (Tersoff-Hamann近似) 

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