[CN12]EDY Riyanto, 黄高山*, 赵宇婷, 张菁, 石建军, 梅永丰, 原子层沉积制备铝掺杂氧化锌纳米薄膜及其光催化特性[J], 材料科学与工程学报, 36(05), 705-712+719(2018)..pdf

材料科学与工程学报ＪｏｕｒｎａｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅ＆Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ第３６卷第５期Ｖｏｌ．３６Ｎｏ．５总第１７５期Ｏｃｔ．２０１８ＡｒｔｉｃｌｅＩＤ：１６７３－２８１２（２０１８）０５－０７０５－０９ｕｍｉｎｕｍ－ＤｏｐｅｄＺｉｎｃＯｘｉｄｅＴｈｉｎＦｉｌｍｓＳｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄｂｙＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＡｌＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎｆｏｒＰｈｏｔｏｃａｔａｌｓｉｓｙ，ＥＤＹＲｉｔｏ１２，ＨＵＡＮＧＧａｏｓｈａｎ２，ＺＨＡＯＹｕｔｉｎｇ２，ＺＨＡＮＧＪｉｎｇ３，ＳＨＩＪｉａｎｕｎ３，ｙａｎｊｆｅｎｇ２ＭＥＩＹｏｎｇ（１．ｏｒＭｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎｏｆＣｈｅｍｉｃａｌＦｉｂｅｒｓａｎｄＰｏｌｒＭａｔｅｒｉａｌｓ，ＣｏｌｌｅｅｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓｒａｔｏｒＳｔａｔｅＫｅｙｍｅｇｙｆｙＬａｂｏＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＤｏｎｇｈｕａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｉ２０１６２０，Ｃｈｉｎａ；２．ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅ，Ｆｕｄａｎｙ，ＳｈａｎｇｈａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｉ２００４３３，Ｃｈｉｎａ；３．ＣｏｌｌｅｅｏｆＳｃｉｅｎｃｅ，ＤｏｎｇｈｕａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｉ２０１６２０，Ｃｈｉｎａ）ｙ，Ｓｈａｎｇｈａｇｙ，Ｓｈａｎｇｈａ【Ａｂｓｔｒａｃｔ】Ｚｈｉｎｆｉｌｍｓｗｅｒｅｆａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙｉｎｃｏｘｉｄｅ（ＺｎＯ）ａｎｄａｌｕｍｉｎｕｍ－ｄｏｐｅｄＺｎＯ（ＡＺＯ）ｔｌｅｔｈａｎｅａｓａｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌｔｅｍｐｌａｔｅ．ＺｎＯａｎｄＡＺＯｗｅｒｅｆｉｒｓｔｌａｔｏｍｉｃｌａｙｅｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｕｓｉｎｇｐｏｒｏｕｓｐｏｙｕｒｙｒｏｕｓｔｅｍｐｌａｔｅｆｏｌｌｏｗｅｄｂｙａｃａｌｃｉｎａｔｉｏｎａｔ５００℃ 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高温煅烧处理去掉牺牲模板，得到复制了多孔模板的氧化物纳米薄膜三维多孔结构。将该三维多孔结构压碎，得到片状纳米薄膜。实验结果表明，随着铝掺杂含量的提高，材料的带隙和光催化性能也相应提升。【关键词】原子层沉积；铝掺杂氧化锌；光催化［１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｐｈｏｔｏｃａｔａｌｉｓｈａｓｒｅｃｅｉｖｅｄｙｓｉｎｔｅｎｓｉｖｅａｔｔｅｎｔｉｏｎｉｎｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎｏｗｉｎｇｔｏｉｔｓｓｉｍｐｌｉｃｉｔｌｄｒｅａｃｔｉｏｎｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ，ａｎｄｙ，ｍｉ］ｌｏｗｅｎｅｒｔｉｏｎ１－２．ＴｒａｎｓｉｔｉｏｎｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｇｙｃｏｎｓｕｍｐｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓｓｕｃｈａｓＴｉＯ２，ａｎｄＺｎＯｈａｖｅｂｅｅｎｅｘｔｅｎｓｉｖｅｌｔｕｄｉｅｄｆｏｒａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｉｎｐｈｏｔｏｃａｔａｌｔｉｃｙｓｙｃａｌａｎｄｂｉｏｌｏｇｉｃａｌａｃｔｉｖｉｔｉｔｈｉｕｍｉｏｎｂａｔｔｅｒｙ，ｌｙ，ｃｈｅｍｉ［］ｓｅｎｓｏｒｓ，ａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅｓ２－１２．ＺｎＯｈａｓＲｅｃｅｉｖｅｄｄａｔｅ：２０１７－０３－２０；Ｍｏｄｉｆｉｅｄｄａｔｅ：２０１７－０４－１９Ｆｏｕｎｄａｔｉｏｎｉｔｅｍ：ＮａｔｉｏｎａｌＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＦｏｕｎｄａｔｉｏｎｏｆＣｈｉｎａ（５１３２２２０１，５１４７５０９３）；ＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＣｏｍｍｉｓｓｉｏｎｏｆＳｈａｎｇｈａｉＭｕｎｉｃｉｌｉｔ１４ＪＣ１４００２００）ｐａｙ（ＢｉｏｒａＥＤＹＲｉａｎｔｏ，ｍａｌｅ，Ｉｎｄｏｎｅｓｉａ，ｃａｎｄｉｄａｔｅｏｆＰｈＤ．Ｅ－ｍａｉｌ：ｅｄｙｒ＿０１＠ｙａｈｏｏ．ｃｏ．ｉｄ．ｙｇｐｈｙ：Ｃｏｒｒｅｓｏｎｄｉｎｕｔｈｏｒ：ＨＵＡＮＧＧａｏｓｈａｎ，ｐｒｏｆｅｓｓｏｒ．Ｅ－ｍａｉｌ：ｇｓｈｕａｎｇ＠ｆｕｄａｎ．ｅｄｕ．ｃｎ．ｐｇａ材料科学与工程学报 · ７０６ · ａｔｔｒａｃｔｅｄｃｏｎｓｉｄｅｒａｂｌｅａｔｔｅｎｔｉｏｎｂｅｃａｕｓｅｏｆｉｔｓｌｏｗ２０１８年１０月．ＴｉＯ２ｉｓｋｎｏｗｎｔｏｂｅＡｌｓｏｕｒｃｅｏｆｔｈｅｐｒｅｃｕｒｓｏｒｉｓｔｒｉｍｅｔｈｙｌａｌｕｍｉｎｕｍ（ＴＭＡ）．Ｆｏｒａｌｌｄｏｐｉｎｇａｎｄｎｏｄｏｐｉｎｇｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｓ，ｔｈｅｍｏｓｔａｃｔｉｖｅｐｈｏｔｏｃａｔａｌｔｆｏｒｏｒｇａｎｉｃｏｘｉｄａｔｉｏｎ．ｙｓＳｏｍｅｃｅｒｔａｉｎｓｔｕｄｉｅｓ，ｈｏｗｅｖｅｒ，ｈａｖｅｒｅｐｏｒｔｅｄｔｈａｔｔｈｅＡＬＤｒｅａｃｔｏｒｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｗａｓｓｅｔａｔ１５０℃ ，ａｎｄｔｈｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓｏｆｔｈｅＴＭＡ，ＤＥＺ，ａｎｄＨ２ＯＺｎＯｅｘｈｉｂｉｔｓａｂｅｔｔｅｒａｃｔｉｖｉｔｎｐｈｏｔｏｃａｔａｌｔｉｃｙｉｙｅｃｕｒｓｏｒｂｏｔｔｌｅｓｗｅｒｅｓｅｔａｔ６０℃ ，４５℃ ，ａｎｄ５０℃ 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· ７０７ · ａｃｈｉｅｖｅｔｈｅａｄｓｏｒｔｉｏｎｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍ，ａｎｄｔｈｅｎｐｉｌｌｕｍｉｎａｔｅｄｕｎｄｅｒｔｈｅＵＶｌｉｔｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎｏｆ２００－Ｗｇｈｘｅｎｏｎｌａｍｐ（Ｌａｎｐｕ，Ｃｈｉｎａ）ｗｉｔｈｔｈｅｄｉｓｔａｎｃｅｏｆ５０ｃｍｆｒｏｍｔｈｅＭＯｓｏｌｕｔｉｏｎ．ＴｈｅｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎｏｆｔｈｅＭＯｗａｓｍｅａｓｕｒｅｄｅｖｅｒｎ．Ｔｈｅａｂｓｏｒｔｉｏｎｙ２０ｍｉｐｉｎｔｅｎｓｉｔｔｔｈｅｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｏｆ４６４ｎｍｉｓｆｏｕｎｄｔｏｂｅｙａｔｈｅｍａｘｉｍｕｍａｂｓｏｒｔｉｏｎｐｅａｋｏｆＭＯ，ａｎｄｔｈｅｐｉｎｔｅｎｓｉｔｓｅｘｔｒａｃｔｅｄｔｏｃａｌｃｕｌａｔｅｔｈｅＭＯｙｗａｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ．ｓｕｌｔｓａｎｄｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎ３ＲｅＦｉｅ１ｓｈｏｗｓｔｈｅｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｓｃｈｅｍａｔｉｃｏｆＺｎＯｇｕｒａｎｄＡＺＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓｓｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄｂｙＡＬＤ．Ｉｎｔｈｅｌｅｔｈａｎｅｔｅｍｐｌａｔｅｏｃｅｓｓ，ｔｈｅｏｒｉｉｎａｌｐｏｒｏｕｓｐｏｙｕｒｐｒｇ（Ｆｉ１（ａ））ｗａｓｄｅｐｏｓｉｔｅｄｂｙＺｎＯｏｒＡＺＯｗｉｔｈ～ｇ．２００ＡＬＤｃｙｃｌｅｓ（Ｆｉｔａｉｎｐｕｒｅｇ．１（ｂ））．Ｔｏｏｂｔｏｃａｔａｌｔ，ｔｈｅｄｅｐｏｓｉｔｅｄｓｐｏｎｇｅｗａｓｃａｌｃｉｎｅｄｉｎｐｈｏｙｓｏｘｙｇｅｎａｔｍｏｓｐｈｅｒｅａｔ５００℃．ＯｘｙｇｅｎｒｅａｃｔｓｗｉｔｈａｃａｒｂｏｎｉｚａｂｌｅｏｒｇａｎｉｃｍａｔｅｒｉａｌｔｏｆｏｒｍＣＯ２ａｎｄｆｌｏｗｏｕｔｏｆｔｈｅｃａｌｃｉｎａｔｉｏｎｃｈａｍｂｅｒ，ｗｈｉｃｈｅｖｅｎｔｕａｌｌｙｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｌｒｏｕｓｃａｕｓｅｓｔｈｅｆｏｒｍａｔｉｏｎｏｆｔｈｒｅｅ－ｄｙｐｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇｏｆｔｈｉｎｆｉｌｍｓ（Ｆｉ１（ｃ））．Ｔｈｅｓｅｇ．ｌｖｅｒｉｚｅｄｍａｎｕａｌｌｏｆｏｒｍｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｗｅｒｅｔｈｅｎｐｕｙｔ／ｒｔｈｉｎｆｉｌｍｓ（Ｆｉ１（ｄ））．Ｉｎｔｈｅｆｏｌｌｏｗｉｎｇｐｏｗｄｅｇ．ｔｏｃａｔａｌｔｉｃａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，ｔｈｅｔｈｉｎｆｉｌｍｓｗｅｒｅｐｈｏｙｅｍｐｌｏｙｅｄａｓｐｈｏｔｏｃａｔａｌｔ．ｙｓＦｉ２ＳＥＭｉｍａｇｅｓｏｆ（ａ）ＺｎＯ（２００ｃｌｅ），（ｂ）ＡＺＯ１ｇ．ｙｃ（／Ａｌ／Ａｌ１），５ｌＺｎＯ（１），ＺｎＯ（４０）ｏｏｐｓ），（２０）ｃ）ＡＺＯ２（２Ｏ３（２Ｏ３（ｏｏｐｓ），ｃａｌｃｉｎｅｄａｔ５００℃ 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２０１８年１０月［，，］ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｔｏ（１０２），（１１０），（１０３），（２００），（１１２），［，］１２６－２９．Ｉｌａｎｅｓ，ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌ２０１）ｐｔｃｌｅａｒｌａｎｄ（ｙｙ１６３４４４－４６．Ｔｈｅｓｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｌｉｔｌｉｆｔｉｎｔｈｅｔｗｏｙｇｈｙｓｈｓｈｏｗｎｔｈａｔｔｈｅｒｅｉｓｎｏａｄｄｉｔｉｏｎａｌｐｅａｋｓｄｕｅｔｏｔｈｅａｌｕｍｉｎｕｍｉｎｓｅｒｔｉｏｎ，ｗｈｉｃｈｉｎｄｉｃａｔｅｓｔｈａｔｔｈｅｒｅａｆｆｅｃｔｅｄｂｙｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔｂｅｃａｕｓｅｔｈｅＺｎ－Ｏｂｏｎｄｓａ［４７］ｔｈｅｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎｏｆＡｌａｔｏｍｓａｔＺｎｓｉｔｅｓ．Ｆｉ４（ｃ）ｇ．［，］ｓｈｏｗｓｔｈｅｓｐｅｃｔｒａｏｆＡｌ２ｐｏｆＡＺＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓ．ＩｔｗａｓｗｉｔｈｓｈｏｗｎｔｈａｔｗｉｔｈｉｎｃｒｅａｓｉｎｇＡｌｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｔｈｅｉｎｔｅｎｓｉｔｆＡｌ２ｐｐｅａｋｓｉｎｃｒｅａｓｅｓ，ａｎｄｔｈｅＡｌａｔｏｍｉｃｙｏｆａｂｒｉｃａｔｅｄＡＺＯａｒｅｉｎｓｉｎｇｌｅｐｈａｓｅｃｏｎｄｉｔｉｏｎ１１６．２＋ＴｈｅｄｏｐｉｎｇｏｆＺｎＯｔｈｉｎｆｉｌｍｂｙｒｅｐｌａｃｉｎｇＺｎｈｉｌｅｎｃｅａｔｏｍｓｏｆＡｌ３＋ｌｅａｄｓｔｏｓｔｒｅｓｓｆｏｒｍａｔｉｏｎｇｈｖａｉｎｔｈｅｃｒｔａｌｌｉｎｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄｉｓｋｎｏｗｎｔｏｂｅｙｓｒｅｓｐｏｎｓｉｂｌｅｆｏｒｄｅｔｅｒｉｏｒａｔｉｏｎｉｎＺｎＯ，．ＡｓａｒｅｓｕｌｔＡＺＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓｓｈｏｗ［３０－３３］ｃｒｔａｌｌｉｎｉｔｙｓｙｓａｍｐｌｅｓｃａｎｂｅａｔｔｒｉｂｕｔｅｄｔｏｔｈｅｄｉｆｆｅｒｅｎｔｃｈｅｍｉｃａｌｗｅａｋｅｒｃｒｔａｌｌｉｎｉｔｗｉｔｈｒｅｄｕｃｉｎｇａｋｙｓｙｐｅ［３４－３７］，ａｉｎｔｅｎｓｉｔｉｅｓｓｓｈｏｗｎｉｎＦｉｂ）～３（ｃ）．Ｔｈｅｇｓ．３（ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｓａｒｅｃａｌｃｕｌａｔｅｄｔｏｂｅ１．３％ａｎｄ７．２％ｆｏｒＡＺＯ１ａｎｄＡＺＯ２，ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌａｋｓｈｉｆｔｓｙ．Ｔｈｅｐｅｔｏｈｉｒｂｉｎｄｉｎｇｅｎｅｒｒｅｂｅｌｉｅｖｅｄｔｏｂｅｄｕｅｔｏｇｈｅｇｙａ［］ｍｏｒｅＡｌ－Ｏｂｏｎｄｓ３９．ｆｅａｓｉｂｉｌｉｔｆＡｌｉｎｃｏｒｒａｔｉｏｎｉｎｔｏＺｎＯｉｍｐｌｉｅｓｔｈｅｙｏｐｏａｂｉｌｉｔｏｃｏｎｔｒｏｌｔｈｅｃｒｔａｌｌｉｎｉｔｓｗｅｌｌａｓｔａｉｌｏｒｉｎｇｙｔｙｓｙａ［］ｔｈａｓｂｅｅｎｋｎｏｗｎｔｈａｔｔｈｅｏｆｔｈｅｂａｎｄｇａｐ３７．ＩｅｘｃｅｓｓｏｆｔｈｅＡｌｓｏｌｕｂｉｌｉｔｉｍｉｔｉｎＺｎＯｌｅａｄｓｔｏｙｌＦｏｒｍａｔｉｏｎｗｉｏｆＺｎＡｌ２Ｏ４ｔｈｓｐｉｎｅｌ－ｔｙｐｅ，ａｎｄｉｎｄｉｃａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｆｏｒｍａｔｉｏｎｏｆ［３８－４０］ｓｔｒｕｃｔｕｒｅＺｎＡｌ２Ｏ４ｃｓｅｃａｎｂｅｓｅｌｅｃｔｅｄａｓｔｈｅｒｔａｌｌｉｎｅｐｈａｙｓ［，］ｃｒｉｔｅｒｉｏｎｆｏｒｓｏｌｉｄｓｏｌｕｂｉｌｉｔｉｍｉｔ３０４１－４２．ＴｈｅｃｕｒｒｅｎｔｙｌｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓｉｎｄｉｃａｔｅｔｈａｔｔｈｅＡＺＯｆｏｒｍｅｄｉｓｓｔｉｌｌｉｎｔｈｅｒａｎｇｅｏｆｓｏｌｉｄｓｏｌｕｂｉｌｉｔｉｍｉｔ．ｙｌＦｉ３ＸＲＤｐａｔｔｅｒｎｓｏｆ（ａ）ＺｎＯ（２００ｃｌｅｓ）ａｓｗｅｌｌａｓＡＺＯｗｉｔｈｇ．ｙｃ／ＡｌｖａｒｉｏｕｓＡｌｄｏｐｉｎｇｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｏｆ（ｂ）ＡＺＯ１（ＺｎＯ（４０）１），２Ｏ３（／Ａｌ５ｌ１），１０ｌｏｏｐｓ），（ＺｎＯ（２０）ｏｏｐｓ）ｃ）ＡＺＯ２（２Ｏ３（ＣｈｅｍｉｃａｌｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｓｏｆＡｌ－ｄｏｐｅｄＺｎＯｗｅｒｅｍｅａｓｕｒｅｄｂｙＸＰＳ．Ｆｉｅ４ｓｈｏｗｓｔｈｅＸＰＳｓｐｅｃｔｒａｏｆｇｕｒＺｎ，Ｏ，ａｎｄＡｌｏｆＡＺＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓ．Ｉｔｗａｓｓｈｏｗｎｉｎ／／Ｆｉ４（ａ）ｔｈａｔｔｈｅＺｎ２ｐ３２ａｎｄＺｎ２ｐ１２ｐｅａｋｓａｒｅｇ．ａｌｍｏｓｔｔｈｅｓａｍｅｆｏｒｔｈｅｔｗｏＡＺＯｓａｍｐｌｅｓ，ａｎｄｔｈｅ／ＡｌＦ１），５ｌｉ４ＸＰＳｓｐｅｃｔｒａｏｆＡＺＯ１（ＺｎＯ（４０）ｏｏｐｓ），ｇ．２Ｏ３（／Ａｌ１），１０ｌＺｎＯ（２０）ｏｏｐｓ）．ａｎｄＡＺＯ２（２Ｏ３（（ａ）Ｚｎ２ｐ，（ｃ）Ａｌ２ｐｂ）Ｏ１ｓ，ａｎｄ（Ｆｉｅ５（ａ）ｓｈｏｗｓｔｈｅｏｐｔｉｃａｌｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅｇｕｒａｓｃｒｉｂｅｄｔｏｗｕｒｔｚｉｔｅ．Ｆｉｅ４（ｂ）ｓｈｏｗｓｔｈｅＧａｕｓｓｉａｎｇｕｒｓｐｅｃｔｒａｏｆｔｈｅＺｎＯａｎｄＡＺＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓｐｒｅｐａｒｅｄｏｎｄｅｃｏｎｖｏｌｕｔｅｄＸＰＳＯ１ｓｓｐｅｃｔｒａｏｆＡＺＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓ．ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅｏｆＡＺＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓｗａｓｓｌｉｔｌｇｈｙｅｎｈａｎｃｅｄｗｉｔｈｉｎｃｒｅａｓｉｎｇＡｌｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ，ｉｎｄｉｃａｔｉｎｇａｋｐｅｉｔｉｏｎｓｐｏｓａｒｅ［１６，４３］ｓｔｒｕｃｔｕｒｅＴｈｅｔｗｏｐｅａｋｓｏｆＯ１ａｎｄＯ２ｃａｎｂｅａｓｓｉｏｔｈｅｇｎｅｄｔＺｎ－Ｏｂｏｎｄ，ａｎｄｔｈｅＡｌ－Ｏｂｏｎｄ／ａｄｓｏｒｂｅｄｏｘｙｇｅｎ，ｒｔｚｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ．ＩｔｉｓｓｈｏｗｎｔｈａｔｔｈｅｏｐｔｉｃａｌｑｕａｔｈａｔｉｎｔｈｅＡＺＯ，ｍｏｒｅｆａｃｉｌｅｅｌｅｃｔｒｏｎｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｓ第３６卷第５期ｔｏ，等．原子层沉积制备铝掺杂氧化锌纳米薄膜及其光催化特性ＥＤＹＲｉｙａｎ［ · ７０９ · ］ｅｘｉｓｔｔｏａｂｓｏｒｂｐｈｏｔｏｎｓ４８－４９．Ｔｈｅｏｐｔｉｃａｌａｂｓｏｒｔｉｏｎｐｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ，α，ｃａｎｂｅｃａｌｃｕｌａｔｅｄｕｓｉｎｇＬａｍｂｅｒｔ’ｓ［］ｅｑｕａｔｉｏｎ５０－５１： α＝１１（ｔ）ｌｎ（Ｔ）ｗｈｅｒｅＴｉｓｔｈｅｏｐｔｉｃａｌｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅａｎｄｔｉｓｔｈｅｔｈｉｃｋｎｅｓｓ．Ｔｈｅｏｐｔｉｃａｌｂａｎｄｇａｐ（Ｅｇ）ｏｆＺｎＯａｎｄ［，］ＡＺＯｃａｎｂｅｅｖａｌｕａｔｅｄｂｙＴａｕｃｒｅｌａｔｉｏｎ４７５２：ｈν－Ｅｇ）ｍ αｈν＝Ａ（ｗｈｅｒｅＡａｎｄｈνａｒｅｔｈｅｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌｉｔｔａｎｔａｎｄｙｃｏｎｓｔｏｎｅｎｅｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｓａｉｎｃｉｄｅｎｔｐｈｏｇｙ，ｒｙａｎｄｍｉｃｏｎｓｔａｎｔｗｉｔｈｔｈｅｖａｌｕｅｉｓｅｑｕａｌｔｏ１／２ｆｏｒａｄｉｒｅｃｔｆｔｈｅｂａｎｄｇａｐｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ．Ｔｈｅｄｉｒｅｃｔｂａｎｄｇａｐｓｏ２ｏｘｉｄｅｓｃａｎｂｅｅｓｔｉｍａｔｅｄｆｒｏｍｔｈｅｃｕｒｖｅｏｆ（ αｈｖ）－（ｈν）ｂｙｅｘｔｒａｐｏｌａｔｉｎｇｔｈｅｌｉｎｅａｒｒｅｇｉｏｎｏｆｔｈｅｃｕｒｖｅｓ［４７，５３］，ａｔｏｉｎｔｅｒｃｅｐｔｔｈｅｘ－ａｘｉｓｓｓｈｏｗｎｉｎＦｉ５（ｂ）．ｇ．ＴｈｅｅｓｔｉｍａｔｅｄｏｐｔｉｃａｌｂａｎｄｇａｐｓｉｎｃｒｅａｓｅｗｉｔｈｉｎｃｒｅａｓｉｎｇＡｌｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎａｓｔｈｅｖａｌｕｅｓｏｆｔｈｅｕｎｄｏｐｅｄＺｎＯ，ＡＺＯ１，ａｎｄＡＺＯ２ａｒｅ３．１３，３．３０，ａｎｄ３．３３ｅＶ，ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｒｅ，ｔｈｅｂａｎｄｇａｐｏｆｔｈｅｙ．ＨｅＺｎＯ（３．１３ｅＶ）ｉｓｉｎａｇｒｅｅｍｅｎｔｔｏａｒｅａｓｏｎａｂｌｅｅｘｔｅｎｔ２ｉ５（ａ）Ｏｐｔｉｃａｌｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅｓｐｅｃｔｒａ，ａｎｄ（ｂ）ｐｌｏｔｓｏｆ（Ｆ αｈｖ）ｇ．／Ａｌ１），ａｇａｉｎｓｔ（ｈｖ）ｆｏｒＺｎＯ（２００ＡＬＤｃｌｅｓ），ＡＺＯ１（ＺｎＯ（４０）ｙｃ２Ｏ３（／Ａｌ１），１０ｌｏｏｐｓ），ａｎｄＡＺＯ２（ＺｎＯ（２０）ｏｏｐｓ）５ｌ２Ｏ３（ｗｉｔｈｔｈｅａｃｃｅｐｔｅｄｌｉｔｅｒａｔｕｒｅｖａｌｕｅｏｆ～３．１８ｔｏ［，，］３．２２ｅＶ１６５１５３－５４．ＴｈｅｉｔｈｎｃｒｅａｓｅｏｆｔｈｅｂａｎｄｇａｐｗｉｉｎｃｒｅａｓｉｎｇＡｌｄｏｐｉｎｇｉｓａｔｔｒｉｂｕｔｅｄｔｏｔｈｅＢｕｒｓｔｅｉｎ－Ｍｏｓｓｅｆｆｅｃｔ，ｃａｕｓｅｄｂｙａｎｉｎｃｒｅａｓｅｉｎｆｒｅｅｅｌｅｃｔｒｏｎ［，］ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｄｕｅｔｏＡｌｄｏｐｉｎｇ４８５４－５８．ＺｎＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓａｒｅｎａｔｕｒａｌｌｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓｄｕｅｙｐｅｏｘｙｎ－ｔｔｏｎａｔｕｒａｌｅｌｅｃｔｒｏｎｄｏｎｏｒｓｇｅｎｅｒａｔｅｄｂｙＯｖａｃａｎｃｉｅｓ［］ａｎｄＺｎｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌｓ４８．ＴｈｅａｄｄｉｔｉｏｎｏｆｄｏｎｏｒＡｌ３＋ｃａｔｉｏｎｓｒａｉｓｅｓｔｈｅＦｅｒｍｉｌｅｖｅｌｏｆｔｈｅＡＺＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓｉｎｔｏｔｈｅｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎｂａｎｄ，ｃａｕｓｉｎｇｃｏｍｐｌｅｔｅｄｅｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ，ａｎｄｔｈｅｒｅｆｏｒｅｔｈｅａｂｓｏｒｔｉｏｎｅｄｇｅｐ［，］４８５５．ｍｏｖｅｓｔｏｈｉｒｅｎｅｒｇｈｅｇｙＦｉｅ６（ａ）ｓｈｏｗｓｔｈｅｐｈｏｔｏｃａｔａｌｔｉｃｇｕｒｙｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆＺｎＯａｎｄＡＺＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓａｎｎｅａｌｅｄａｔｐｅ５００℃ ｗｉｔｈＭＯｓｏｌｕｔｉｏｎｕｓｅｄａｓａｔｉｃａｌｏｒｉｃｙｐｇａｎｌｌｕｔａｎｔ．ＴｈｅｉｎｉｔｉａｌＭＯｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｉｓ１０ｍｇ／ＬｐｏａｎｄＺｎＯｏｒＡＺＯｐｈｏｔｏｃａｔａｌｔｓｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｉｓｙｓ０．２５ｍｇ／ｍＬ．ＩｔｗａｓｓｈｏｗｎｔｈａｔｔｈｅｐｒｅｓｅｎｃｅｏｆＡｌｉｎＦｉ６（ａ）Ｐｈｏｔｏｃａｔａｌｔｉｃｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓｏｆｔｈｉｎｆｉｌｍｓ：ＺｎＯｇ．ｙＺｎＯｇｉｖｅｓａｐｏｓｉｔｉｖｅｅｆｆｅｃｔｔｏｔｈｅｐｈｏｔｏｃａｔａｌｔｉｃｙｈｉｎｆｉｌｍｓｗｉｔｈｈｉｒＡｌａｃｔｉｖｉｔｉｅｓ（Ｆｉ６（ａ））．ＡＺＯｔｇｈｅｇ．（／Ａｌ２００ＡＬＤｃｌｅｓ），ＡＺＯ１（ＺｎＯ（４０）ｏｏｐｓ），ＡＺＯ２１），５ｌｙｃ２Ｏ３（ｄｏｐｉｎｇｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ（ＡＺＯ２）ｈａｓａｗｉｄｅｒｏｐｔｉｃａｌ（（））ｂａｎｄｇａｐＦｉｔｔｅｒｐｈｏｔｏｃａｔａｌｔｉｃａｎｄｂｅｇ．５ｂｙｒａｔｅｓ，ｃａｌｃｕｌａｔｅｄｆｒｏｍ（ａ）ｒｆｏｒｍａｎｃｅｔｈａｎｎｏａｎｄｌｏｗｅｒｄｏｐｉｎｇ，ｅ．ｇ．ＺｎＯｐｅ（２００ＡＬＤｃｙｃｌｅｓ）ａｎｄＡＺＯ１ｉｎＦｉ６（ａ）ａｎｄ６（ｂ）．ｇｓ．（／ＡｌＺｎＯ（２０）１），１０ｌｏｏｐｓ）．（ｂ）Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ２Ｏ３（Ｉｔｃａｎｂｅｅｘｐｌａｉｎｅｄａｓｆｏｌｌｏｗｓ．Ｔｈｅｍｏｓｔｉｍｐｏｒｔａｎｔｆａｃｔｏｒｔｈａｔｃａｎｃｏｎｔｒｉｂｕｔｅｔｏｉｎｃｒｅａｓｅｏｆｔｏｃａｔａｌｔｉｃａｃｔｉｖｉｔｓｔｈｅｐｒｅｓｅｎｃｅｏｆａｈｉｐｈｏｙｙｉｇｈ材料科学与工程学报 · ７１０ · ２０１８年１０月 · · ｅｌｅｃｔｒｉｃｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｐｈａｓｅｓ，ｗｈｉｃｈｌｅａｄｓｔｏａｎｉｎｃｒｅａｓｅＨ２Ｏ２＋Ｏ２－ →ＯＨ＋Ｏ２＋ＯＨ－ｏｆｔｈｅｐｒｏｂａｂｉｌｉｔｆｔｈｅｃａｒｒｉｅｒｓｒｅａｃｈｉｎｇｔｈｅｙｏ［１９，５９］／ｓｏ．ＷｈｅｎａｓｍａｌｌｔｏｃａｔａｌｔｌｕｔｉｏｎｉｎｔｅｒｆａｃｅｐｈｏｙｓＯＨ＋ｄｙｅ → ｄｙｅｍｉｎｅｒａｌｉｚａｔｉｏｎａｍｏｕｎｔｏｆＡｌｗａｓｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄｉｎｔｏｔｈｅＺｎＯｔｈｉｎｆｉｌｍ，ｌｕｓｉｏｎ４Ｃｏｎｃ３＋２＋ｔｈｅｏｎｅｉｏｎｉｚｅｄＡｌｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｆｏｒｏｎｅＺｎ · （６）（７）ｉｖｉｎｇｇｏｎｅｆｒｅｅｅｌｅｃｔｒｏｎｔｏｔｈｅｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎｂａｎｄｆｏｒｅｖｅｒｙ［，］２＋３＋５３６０－６１，ｗｈｉｔｅｒｅｐｌａｃｅｄｂｙｔｈｅＡｌｉｃｈＺｎｓ［５３］ｅｖｅｎｔｕａｌｌｎｃｒｅａｓｅｓｔｈｅｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｎｔｈｅｙｉｙ．Ｉｔｏｃａｔａｌｉｓｒｅｓｐｅｃｔ，ＡｌｄｏｐｉｎｇｉｎｃｒｅａｓｅｄｔｈｅｐｈｏｙｓｔｏｃａｔａｌｔｉｃａｃｔｉｖｉｔｃｃｅｌｅｒａｔｉｎｇｔｈｅｔｒａｎｓｆｅｒｏｆｐｈｏｙｙｂｙａＺｎＯａｎｄＡＺＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓｃａｎｂｅｓｕｃｃｅｓｓｆｕｌｌｙｄｅｐｏｓｉｔｅｄｂｙＡＬＤｏｎｐｏｒｏｕｓｐｏｌｅｔｈａｎｅｔｅｍｐｌａｔｅ．ｙｕｒＣａｌｃｉｎａｔｉｏｎｆｏｌｌｏｗｉｎｇｔｈｅｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｍａｋｅｓｔｈｅｔｈｉｎｆｉｌｍｓｆｏｒｍｔｈｅｔｈｒｅｅ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｌｒｏｕｓｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｙｐｏｅｌｅｃｔｒｏｎｓｔｏｄｉｓｓｏｌｖｅｄｏｘｙｇｅｎｍｏｌｅｃｕｌｅｓ．Ｔｈｅａｓａｒｅｐｌｉｃａｏｆｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆｏｒｉｉｎａｌｔｅｍｐｌａｔｅ．Ｂｙｇｒｏｕｓｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｗｅｒｅｂｒｏｋｅｎｉｎｔｏｌｖｅｒｉｚｉｎｇ，ｔｈｅｐｏｐｕｔｏ－ｇｅｎｅｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｐｈｏｒａｔｅｄｃａｒｒｉｅｒｓｗａｓｓｍａｌｌｐｉｅｃｅｓａｎｄｆｏｒｍＺｎＯａｎｄＡＺＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓ．ｅｆｆｅｃｔｉｖｅｌｒｅｓｓｅｄｌｅａｄｉｎｇｔｏａｎｉｎｃｒｅａｓｅｉｎｔｈｅｙｓｕｐｐＥｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｗｕｒｔｚｉｔｅｃｒｔａｌｙｓｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＺｎＯｃａｎｂｅｍａｉｎｔａｉｎｅｄｂｙＡｌｄｏｐｉｎｇ，［１］［１］ｔｏ－ｏｘｉｄａｔｉｏｎｅｆｆｉｃｉｅｎｃｐｈｏｙ．Ｔｈｅｐｈｏｔｏｇｅｎｅｒａｔｅｄｅｌｅｃｔｒｏｎｓａｎｄｈｏｌｅｓｈａｖｅｂｅｅｎｆｏｕｎｄｔｏｄｅｇｒａｄｅｍａｎｙｔｓｏｆｏｒｇａｎｉｃａｎｄｙｐｅｓｉｂｌｅｔｏｓｕｇｇｅｓｔｔｈａｔｉｎｏｒｇａｎｉｃｐｏｌｌｕｔａｎｔｓｗｈｉｃｈｉｓｐｏｓ－＋ｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｎ－ｈｏｌｅｐａｉｒ（ｅ－ｈ）ｉｓｇｅｎｅｒａｔｅｄａｔｔｈｅｓｕｒｆａｃｅｏｆｔｈｉｎｆｉｌｍｓ，ｌｅａｄｉｎｇｔｏｔｈｅｆｏｒｍａｔｉｏｎｏｆｏｃｅｓｓｉｓｒｅａｃｔｉｖｅｏｘｉｄａｔｉｖｅｈｙｄｒｏｘｉｄｅｒａｄｉｃａｌｓ．Ｔｈｅｐｒ［］ｄｅｓｃｒｉｂｅｄａｓｆｏｌｌｏｗｓ６２：ｗｈｅｎｔｈｅＺｎＯ／ＡＺＯｉｓｒａｔｉｏｎｏｆｅｌｅｃｔｒｏｎｓａｎｄｈｏｌｅｓｉｌｌｕｍｉｎａｔｅｄ，ｔｈｅｇｅｎｅｂｅｇｉｎｓ（Ｅｑ（１））ａｎｄ，ａｓｔｈｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｉｓｉｍｍｅｒｓｅｄｉｎａｌｉｉｄｍｅｄｉｕｍ，ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓｑｕａｄｓｏｒｔｉｏｎｏｆｔｈｅｍｏｌｅｃｕｌｅｓｉｎａｌｉｉｄｏｃｃｕｒｓ；ｔｈｅｎｐｑｕｉｎｄｉｃａｔｉｎｇａｓｉｎｇｌｅｐｈａｓｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅ．Ｆｕｒｔｈｅｒｍｏｒｅ，ｂｙｅｓｅｎｃｅａｎｄｉｎｃｒｅａｓｉｎｇｏｆＡｌｄｏｐｉｎｇ，ｔｈｅｏｐｔｉｃａｌｐｒｔｏｃａｔａｌｔｉｃｂａｎｄｇａｐｓｅｎｌａｒｓｗｉｔｈｔｈｅｐｈｏｙｇｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｅｎｈａｎｃｅｄ．ＴｈｅｅｎｌａｒｔｏｆｏｐｔｉｃａｌｐｅｇｅｍｅｎｔｈｉｎｃｒｅａｓｉｎｇＡｌｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｉｓｄｕｅｔｏｂａｎｄｇａｐｗｉＡｌｉｏｎｓｔｅｎｄｉｎｇｔｏｏｃｃｕｐｙＺｎＯｌａｔｔｉｃｅｐｌａｎｅｓ，ａｎｄｔｈｃｏｎｓｅｑｕｅｎｔｌｅａｄｉｎｇｔｏｔｈｅｉｎｃｒｅａｓｅｉｎｔｒａｎｓｐｏｒｔｐａｙｌｏｆｃｈａｒａｒｒｉｅｒｓｉｎＺｎＯｌａｔｔｉｃｅ．Ｔｈｅｔｒａｎｓｐｏｒｔｏｆｇｅｃｔｏｇｅｎｅｒａｔｅｄｅｌｅｃｔｒｏｎｓｔｏｔｈｅｏｕｔｅｒｓｙｓｔｅｍｓｗｉｌｌｐｈｏｅｖｅｎｔｕａｌｌｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ，ｒｅｓｕｌｔｉｎｇｉｎｈｉｙｂｅａｇｈｒｆｏｒｍａｎｃｅ．ｔｏｃａｔａｌｔｉｃｐｅｐｈｏｙａｎｅｌｅｃｔｒｏｎｉｓｔｒａｎｓｆｅｒｒｅｄｔｏｔｈｅａｃｃｅｐｔｏｒｍｏｌｅｃｕｌｅＲｅｆｅｒｅｎｃｅａｎｄｔｈｅｄｏｎｏｒｍｏｌｅｃｕｌｅｇｉｖｅｓａｎｅｌｅｃｔｒｏｎｔｏｔｈｅｏｘｉｄｅ［１７］ · ．ＴｈｅｈｏｒａｔｅＯＨｂｙｒｌｅｓｇｅｎｅｅａｃｔｉｎｇｗｉｔｈｔｈｅｗａｔｅｒｍｏｌｅｃｕｌｅｓ（Ｅｑ．（２）），ａｎｄｔｈｅＯ２ｍｏｌｅｃｕｌｅａｃｃｅｐｔｓａｎｅｌｅｃｔｒｏｎｔｏｆｏｒｍｔｈｅｓｕｐｅｒ－ｏｘｉｄｅｒａｄｉｃａｌ ·－ ·－３））．ＴｈｅＯ２（Ｅｑ．（ｓｅＯ２ｒａｄｉｃａｌｓａｃｔａｓｓｔｒｏｎｇｏｘｉｄｉｚｉｎｇａｇｅｎｔｓａｎｄｔｈｅｙａｌｓｏｃｏｎｔｒｉｂｕｔｅｔｏｔｈｅ［１７］ｆｏｒｍａｔｉｏｎｏｆｈｙｄｒｏｇｅｎｐｅｒｏｘｉｄｅ（Ｅｑｓ．（４）－（７））．［１］Ｍ．Ａｈｍａｄ，Ｅ．Ａｈｍｅｄ，Ｙ．Ｗ．Ｚｈａｎｇ，ｅｔａｌ．ＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆｆｉｃｉｅｎｔＡｌ－ＤｏｐｅｄＺｎＯＰｈｏｔｉｏｎＨｉｌｔｏｃａｔａｌｔｂｙＣｏｍｂｕｓｇｈｙＥｆｙｓＳｙｎｔｈｅｓｉｓ［Ｊ］．ＣｕｒｒｅｎｔＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ，２０１３，１３（４）：６９７～７０４．［２］Ｈ．Ｋｉｓｃｈ．ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＰｈｏｔｏｃａｔａｌｉｓ－ＭｅｃｈａｎｉｓｔｉｃａｎｄｙｓｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＳｙｎｔｈｅｔｉｃＡｓｐｅｃｔｓ［Ｊ］．ＡｎｇｅｗａｎｄｔｅＣｈｅｍｉｅ－ＩＥｄｉｔｉｏｎ，２０１３，５２（３）：８１２～８４７．Ｔｈｅｆｏｒｍｅｄｒａｄｉｃａｌｓｒｅａｃｔｗｉｔｈｔｈｅｄｙｅｍｏｌｅｃｕｌｅ，［３］Ｍ．Ｂａｔｚｉｌｌ．ＦｕｎｄａｍｅｎｔａｌＡｓｐｅｃｔｓｏｆＳｕｒｆａｃｅＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇｏｆｄｉｓｒｕｐｔｉｎｇｉｔｉｎｉｔｓｃｏｎｕｇａｔｅｄｓｙｓｔｅｍｗｈｉｃｈｌｅａｄｓｔｏｊＴｒａｎｓｉｔｉｏｎＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＰｈｏｔｏｃａｔａｌｔｓ［Ｊ］．Ｅｎｅｒｙｓｇｙ＆［］ｔｈｅｃｏｍｐｌｅｔｅｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆｔｈｅｄｙｅ１７．Ｔｈｅｅｓｅｎｃｅｏｆｅｘｔｒａｅｌｅｃｔｒｏｎｓｃｏｎｔｒｉｂｕｔｅｓｔｏｔｈｅｐｒ · ａｄｉｃａｌｓｔｈａｔａｃｃｅｌｅｒａｔｅｔｈｅｆｏｒｍａｔｉｏｎｏｆＯ２－ｒｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｍｅｃｈａｎｉｓｍ，ｒｅｄｕｃｉｎｇｔｈｅｄｙｅ［］ｄｉｓｃｏｌｏｒａｔｉｏｎｔｉｍｅ１７．ＺｎＯ／ＡＺＯ＋ｈν→ｅ□ ＋ｈ＋ · Ｈ２Ｏ＋ｈ＋ →ＯＨ＋Ｈ＋ · Ｏ２＋ｅ□ →Ｏ２－ · · Ｏ２－＋Ｈ＋ → ＨＯ２ · ２２ＨＯ → Ｈ２Ｏ２＋Ｏ２ＥｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌＳｃｉｅｎｃｅ，２０１１，４（９）：３２７５～３２８６．［４］Ｘ．Ｂ．Ｍｅｎｇ，Ｘ．Ｑ．Ｙａｎｇ，Ｘ．Ｌ．Ｓｕｎ．ＥｍｅｒｉｎｇＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｇｏｆＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎｆｏｒＬｉｔｈｉｕｍ－ＩｏｎＢａｔｔｅｒｔｕｄｉｅｓ［Ｊ］．ｙＳＡｄｖａｎｃｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ，２０１２，２４（２７）：３５８９．［５］Ｊ．Ｓ．Ｃｈｅｎ，Ｘ．Ｗ．Ｌｏｕ．ＡｎａｔａｓｅＴｉＯ２Ｎａｎｏｓｈｅｅｔｓ：ＡｎＩｄｅａｌＨｏｓｔＳｔｒｕｃｔｕｒｅｆｏｒＦａｓｔａｎｄＥｆｆｉｃｉｅｎｔＬｉｔｈｉｕｍＥｎｓｅｒｔｉｏｎ／（１）（２）（３）（４）（５）Ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｓｔｒｉｃａｔｉｏｎｓ，２００９，１１ｙＣｏｍｍｕｎ（１２）：２３３２～２３３５．［６］Ｙ．Ｘｕ，Ｅ．Ｍ．Ｌｏｔｆａｂａｄ，Ｈ．Ｌ．Ｗａｎｇ，Ｂ．Ｆａｒｂｏｄ，Ｚ．Ｗ．Ｘｕ，Ａ．Ｋｏｈａｎｄｅｈｇｈａｎ，Ｄ．Ｍｉｔｌｉｎ．ＮａｎｏｃｒｔａｌｌｉｎｅＡｎａｔａｓｅＴｉｏ２：ＡｙｓｔｅｒｉａｌｆｏｒＲｅｃｈａｒａｂｌｅＳｏｄｉｕｍＩｏｎＢａｔｔｅｒｉｅｓ［Ｊ］．ＮｅｗＡｎｏｄｅＭａｇｅＣｈｅｍｉｃａｌＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，２０１３，４６（７９）：８９７３～８９７５．第３６卷第５期ｔｏ，等．原子层沉积制备铝掺杂氧化锌纳米薄膜及其光催化特性ＥＤＹＲｉｙａｎ［７］Ｘ．Ｓｕ，Ｑ．Ｌ．Ｗｕ，Ｘ．Ｚｈａｎ，Ｊ．Ｗｕ，Ｓ．Ｙ．Ｗｅｉ，Ｚ．Ｈ．Ｇｕｏ． · ７１１ · Ｓｃｉｅｎｃｅ，２０１３，２６４：４６４～４６９．ＡｄｖａｎｃｅｄＴｉｔａｎｉａＮａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓａｎｄＣｏｍｐｏｓｉｔｅｓｆｏｒＬｉｔｈｉｕｍ［２１］Ｒ．Ｍｕｒｕｇａｎ，Ｔ．Ｗｏｏｄｓ，Ｐ．Ｆｌｅｍｉｎｇ，Ｄ．Ｓｕｌｌｉｖａｎ，Ｓ．ＩｏｎＢａｔｔｅｒＪ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅ，２０１２，４７（６）：ｙ［Ｒａｍａｋｒｉｓｈｎａ，Ｐ．Ｒ．Ｂａｂｕ．ＳｙｎｔｈｅｓｉｓａｎｄＰｈｏｔｏｃａｔａｌｔｉｃｙ２５１９～２５３４．ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆＺｎＯＮａｎｏａｒｒｏｗｓ［Ｊ］．ＭａｔｅｒｉａｌｓＬｅｔｔｅｒｓ，２０１４，［８］Ｒ．Ｅｄｙ，Ｙ．Ｔ．Ｚｈａｏ，Ｇ．Ｓ．Ｈｕａｎｇ，Ｊ．Ｊ．Ｓｈｉ，Ｊ．Ｚｈａｎｇ，Ａ．１２８：４０４～４０７．Ａ．Ｓｏｌｏｖｅｖ，Ｙ．Ｆ．Ｍｅｉ．Ｔｉｏ２ＮａｎｏｓｈｅｅｔｓＳｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄｂｙＡｔｏｍｉｃ［２２］Ｊ．Ｍ．Ｈｕａｎｇ，Ｃ．Ｓ．Ｋｕ，Ｃ．Ｍ．Ｌｉｎ，Ｓ．Ｙ．Ｃｈｅｎ，Ｈ．Ｙ．Ｌｅｅ．ＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎｆｏｒＰｈｏｔｏｃａｔａｌｉｓ［Ｊ］．ＰｒｏｇｒｅｓｓｉｎＮａｔｕｒａｌｙｓｉｌｍｓＢｙＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎｗｉｔｈａｎＩｎＳｉｔｕＡｌ－ＤｏｐｅｄＺｎＯＦＳｃｉｅｎｃｅ－ＭａｔｅｒｉａｌｓＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，２０１６，２６（５）：４９３～４９７．ＩｎｔｅｒｒｕｐｔｅｄＦｌｏｗ［Ｊ］．ＭａｔｅｒｉａｌｓＣｈｅｍｉｓｔｒｉｃｓ，２０１５，ｙａｎｄＰｈｙｓ［９］Ｐ．Ｍ．Ｃｈａｓｓａｉｎｇ，Ｆ．Ｄｅｍａｎｇｅｏｔ，Ｖ．Ｐａｉｌｌａｒｄ，Ａ．Ｚｗｉｃｋ，Ｎ．１６５：２４５～２５２．Ｃｏｍｂｅ，Ｃ．Ｐａｇｅｓ，Ｍ．Ｌ．Ｋａｈｎ，Ａ．Ｍａｉｓｏｎｎａｔ，Ｂ．Ｃｈａｕｄｒｅｔ．［２３］Ｍ．Ｎａｄｄａｆ，Ｍ．Ｓａａｄ．ＣｏｍｐａｒａｔｉｖｅＳｔｕｄｙｏｆＳｔｒｕｃｔｕｒａｌａｎｄｆａｃｅＰｈｏｎｏｎｉｎＺｉｎｃＯｘｉｄｅＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｆＥ－２ａｎｄＳｕｒＶｉｓｉｂｌｅＬｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＡＺＯＴｈｉｎＦｉｌｍＤｅｐｏｓｉｔｅｄｏｎＮａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓＳｕｒｒｏｕｎｄｅｄｂｙＯｒｉｃＭｏｌｅｃｕｌｅｓ［Ｊ］．ＡｐｐｌｉｅｄｇａｎＧａＡｓａｎｄＰｏｒｏｕｓＧａＡｓＳｕｂｓｔｒａｔｅｓ［Ｊ］．Ｖａｃｕｕｍ，２０１５，１２２：ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ，２００７，９１（５）：０５３１０８．３６～４２．［１０］Ｓ．Ｑ．Ｐａｎ，Ｙ．Ｔ．Ｚｈａｏ，Ｇ．Ｓ．Ｈｕａｎｇ，Ｊ．Ｗａｎｇ，Ｓ．［２４］Ｐ．Ｐｒｅｐｅｌｉｔａ，Ｖ．Ｃｒａｃｉｕｎ，Ｆ．Ｇａｒｏｉ，Ａ．Ｓｔａｉｃｕ．ＥｆｆｅｃｔｏｆＢａｕｎａｎｃｋ，Ｔ．Ｇｅｍｍｉｎｇ，Ｍ．Ｌ．Ｌｉ，Ｌ．Ｒ．Ｚｈｅｎｇ，Ｏ．Ｇ．ＡｎｎｅａｌｉｎｇＴｒｅａｔｍｅｎｔｏｎｔｈｅＳｔｒｕｃｔｕｒａｌａｎｄＯｐｔｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＳｃｈｍｉｄｔ，Ｙ．Ｆ．Ｍｅｉ．ＨｉｌｔｏｃａｔａｌｔｉｃＴｉＯ２ＩｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｅｄｇｈｙＰｈｏｙＡＺＯＳａｍｐｌｅｓ［Ｊ］．ＡｐｐｌｉｅｄＳｕｒｆａｃｅＳｃｉｅｎｃｅ，２０１５，３５２：２３～２７．ＰｏｒｏｕｓＰｏｗｄｅｒＦａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙＳｐｏｎｇｅ－ＴｅｍｐｌａｔｅｄＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒ［２５］Ｒ．Ｆ．Ｓｉｌｖａ，Ｍ．Ｅ．Ｄ．Ｚａｎｉｌｌｉ．ＡｌｕｍｉｎｉｕｍＤｏｐｅｄＺｉｎｃｑｕｅＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１５，２６（３６）：３６４００１．［１１］Ｚ．Ｗａｎｇ，Ｆ．Ｍａｏ，Ｘ．Ｐ．Ｈｕａｎｇ，Ｙ．Ｐ．Ｈｕａｎｇ，Ｓ．Ｑ．Ｆｅｎｇ，ＯｘｉｄｅＦｉｌｍｓ：ＦｏｒｍａｔｉｏｎＰｒｏｃｅｓｓａｎｄＯｐｔｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓ［Ｊ］．ｔａｌｌｉｎｅＳｏｌｉｄｓ，１９９９，２４７（１）：２４８～２５３．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＮｏｎ－ＣｒｙｓＪ．Ｙｉ，Ｃ．Ｙ．Ｚｈａｎｇ，Ｓ．Ｌｉｕ，ＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎａｎｄＰｈｏｔｏｃａｔａｌｔｉｃｙ［２６］Ｈ．Ｑ．Ｗａｎｇ，Ｃ．Ｈ．Ｌｉ，Ｈ．Ｇ．Ｚｈａｏ，Ｊ．Ｒ．Ｌｉｕ．ＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎＡｃｔｉｖｉｔｆＴｉＯ２／ＧｒａｐｈｅｎｅＣｏｍｐｏｓｉｔｅｓ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓｙｏｉｚｅｄＦｌｏｗｅｒ－ＬｉｋｅＺｎＯＢｕｎｃｈｅｓｂｙａＤｉｒｅｃｔｏｆＮａｎｏ－ＳＳｃｉｅｎｃｅ＆Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２０１１，２９：２６７～．２７０．ＰｒｅｃｉｉｔａｔｉｏｎＭｅｔｈｏｄ［Ｊ］．ＡｄｖａｎｃｅｄＰｏｗｄｅｒＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１３，ｐ［１２］Ｘ．Ｐ．Ｙｕ，Ｊ．Ｊ．Ｆｕ，Ｈ．Ｂ．Ｗａｎｇ，ＡｌｋａｌｉＰｒｅｃｉｉｔａｔｉｏｎｐ２４（３）：５９９～６０４．Ｊ］．ｔｓＰｈｏｔｏｃａｔａｌｔｉｃＡｃｔｉｖｉｔＳｙｎｔｈｅｓｉｓｏｆＣｅ－ＤｏｐｅｄＺｎＯａｎｄＩｙｙ［［２７］Ｐ．Ｓ．Ｋｕｍａｌａｒａｒ，Ｐ．Ｐａｉｋ，Ａ．Ｄ．Ｒａｊ，Ｄ．ｊ，Ｄ．ＭａｎｇａＪｏｕｒｎａｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅ＆Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２０１５，３３：５９１～ｉｓｈｎａ．ＢｉｏｄｅｇｒａｄａｂｉｌｉｔＮａｔａｒａｙｊ，Ａ．Ｇｅｄａｎｋｅｎ，Ｓ．Ｒａｍａｋｒ５９４．ｎｆｌｕｅｎｃｅｏｎＧｒｏｗｔｈａｎｄＯｒｉｅｎｔａｔｉｏｎｏｆＺｎＯＳｔｕｄｙａｎｄｐＨＩ［１３］Ｈ．Ｋ．ＰａｆＡｌｕｍｉｎｕｍＤｏｐｉｎｇｒｋ，Ｊ．Ｈｅｏ．ＩｍｐｒｏｖｅｄＥｆｆｉｃｉｅｎｃｙｏｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．ｉｎＺｎＯＴｈｉｎＦｉｌｍｓＧｒｏｗｎｂｙＡｔＡｐｐｌｉｅｄＳｕｒｆａｃｅＳｃｉｅｎｃｅ，２０１４，３０９：１３３～１３７．ＮａｎｏｒｏｄｓｖｉａＡｑｕｅｏｕｓＳｏｌｕｔｉｏｎＰｒｏｃｅｓｓ［Ｊ］．ＡｐｐｌｉｅｄＳｕｒｆａｃｅＳｃｉｅｎｃｅ，２０１２，２５８（１８）：６７６５～６７７１．［２８］Ｈ．Ｑ．Ｗａｎｇ，Ｃ．Ｈ．Ｌｉ，Ｈ．Ｇ．Ｚｈａｏ，Ｒ．Ｌｕ，Ｊ．Ｒ．Ｌｉｕ．［１４］Ｔ．Ｔｙｎｅｌｌ，Ｍ．Ｋａｒｉｎｅｎ．ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆＺｎＯ：ＡｐｐＳｙｎｔｈｅｓｉｓ，ＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎａｎｄＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＣｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｆＺｎＯｙｏＲｅｖｉｅｗ［Ｊ］．ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１４，２９ｗｉｔｈＤｉｆｆｅｒｅｎｔＭｏｒｌｏｇｉｅｓ［Ｊ］．ＰｏｗｄｅｒＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１３，ｐｈｏ（４）：０４３００１．２３９：２６６～２７１．［１５］Ａ．ＤｉＭａｕｒｏ，Ｍ．Ｃａｎｔａｒｅｌｌａ，Ｇ．Ｎｉｃｏｔｒａ，Ｖ．Ｐｒｉｖｉｔｅｒａ，Ｇ．［２９］Ｈ．Ｙ．Ｗｕ，Ｍ．Ｌ．Ｑｉｎ，Ａ．Ｍ．Ｃｈｕ，Ｚ．Ｑ．Ｃａｏ，Ｐ．Ｑ．Ｃｈｅｎ，Ｉｍｐｅｌｌｉｚｚｅｒｉ．ＬｏｗＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆＺｎｏ：Ｙ．Ｌｉｕ，Ｘ．Ｈ．Ｑｕ．ＥｆｆｅｃｔｏｆＵｒｅａｏｎＴｈｅＳｙｎｔｈｅｓｉｓｏｆＡｌ－ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｉｎＰｈｏｔｏｃａｔａｌｉｓ［Ｊ］．ＡｐｐｌｉｅｄＣａｔａｌｉｓＢ－ｙｓｙｓＤｏｐｅｄＺｎＯＮａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅａｎｄＩｔｓＡｄｓｏｒｔｉｖｅＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｆｏｒｐＥｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌ，２０１６，１９６：６８～７６．ＯｒｉｃＰｏｌｌｕｔａｎｔｓ［Ｊ］．ＭａｔｅｒｉａｌｓＲｅｓｅａｒｃｈＢｕｌｌｅｔｉｎ，２０１６，７５：ｇａｎ［１６］Ｈ．Ｊ．Ｌｅｅ，Ｊ．Ｈ．Ｋｉｍ，Ｓ．Ｓ．Ｐａｒｋ，Ｓ．Ｓ．Ｈｏｎｇ，Ｇ．Ｄ．Ｌｅｅ．７８～８２．ＤｅｇｒａｄａｔｉｏｎＫｉｎｅｔｉｃｓｆｏｒＰｈｏｔｏｃａｔａｌｔｉｃＲｅａｃｔｉｏｎｏｆＭｅｔｈｙｌｙ［３０］Ｂ．Ｅｆａｆｉ，Ｍ．Ｓ．Ｇｈａｍｓａｒｉ，Ｍ．Ａ．Ａｂｅｒｏｕｍａｎｄ，Ｍ．Ｈ．Ｍ．ｒｔｉｃｌｅｓ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＯｒａｎｇｅＯｖｅｒＡｌ－ＤｏｐｅｄＺｎＯＮａｎｏｐａＡｒａ，Ａ．Ｈ．Ｓ．Ｇｈａｍｓａｒｉ，Ｈ．Ｈ．Ｒａｄ．ＡｌｕｍｉｎｕｍＤｏｐｅｄＺｎＯＩｎｄｕｓｔｒｉａｌａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，２５：１９９～２０６．ｌＤｅｒｉｖｅｄＮａｎｏｃｒｔａｌｓ：ＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙａｎｄＳｏｌｉｄＳｏｌ－Ｇｅｙｓ［１７］Ｍ．ＢｆＺｎＯＡｎｄＺｎＯ：Ａｌｉｚａｒｒｏ．ＨｉｔｏｃａｔａｌｔｉｃＡｃｔｉｖｉｔｇｈＰｈｏｙｙｏＳｏｌｕｂｉｌｉｔｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ［Ｊ］．ＰｈｙｓｉｃａＳｔａｔｕｓＳｏｌｉｄｉＡ－ｙＣｈａＮａｎｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄＦｉｌｍｓＤｅｐｏｓｉｔｅｄｂｙＳｐｒａｙＰｙｒｏｌｉｓ［Ｊ］．ＡｐｐｌｉｅｄｙｓＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅ，２０１４，２１１（１０）：２４２６～ＣａｔａｌｉｓＢ－Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔａｌ，２０１０，９７（１）：１９８～２０３．ｙｓ２４３０．［１８］Ｍ．Ｂｉｚａｒｒｏ，Ａ．Ｓáｎｃｈｅｚ－Ａｒｚａｔｅ，Ｉ．Ｇａｒｄｕｎｏ－Ｗｉｌｃｈｅｓ，Ｊ．Ｃ．［３１］Ｍ．Ｌｏｕｈｉｃｈｉ，Ｓ．Ｒｏｍｄｈａｎｅ，Ａ．Ｆｋｉｒｉ，Ｌ．Ｓ．Ｓｍｉｒｉ，Ｈ．Ａｌｏｎｓｏ，Ａ．Ｏｒｔｉｚ．ＳｙｎｔｈｅｓｉｓａｎｄＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆＺｎＯａｎｄＢｏｕｃｈｒｉｈａ．ＳｔｒｕｃｔｕｒａｌａｎｄＰｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＡｌ－ＺｎＯ：ＡｌｂｙＳｐｒａｙＰｙｒｏｌｉｓｗｉｔｈＨｉｔｏｃａｔａｌｔｉｃＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｙｓｇｈＰｈｏｙｉｎｃＯｘｉｄｅＮａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓＳｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄｉｎＰｏｌｌ［Ｊ］．ＤｏｐｅｄＺｙｏ［Ｊ］．ＣａｔａｌｉｓＴｏｄａｙ，２０１１，１６６（１）：１２９～１３４．ｙｓＡｐｐｌｉｅｄＳｕｒｆａｃｅＳｃｉｅｎｃｅ，２０１５，３５６：９９８～１００４．［１９］Ｒ．Ｅｄｙ，Ｇ．Ｓ．Ｈｕａｎｇ，ＺｈａｏＹ，ｅｔａｌ．ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［３２］Ｍ．Ｍｏｒｅｔ，Ａ．ＡｂｏｕＣｈａａｙａ，Ｍ．Ｂｅｃｈｅｌａｎｙ，Ｐ．Ｍｉｅｌｅ，Ｙ．ｏｆＴｉＯ２－Ｎａｎｏｍｅｍｂｒａｎｅ－ＢａｓｅｄＰｈｏｔｏｃａｔａｌｔｓｗｉｔｈＥｎｈａｎｃｅｄｙｓＲｏｂｉｎ，Ｏ．Ｂｒｉｏｔ．ＡｔｏｍｉｃｌａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆＺｉｎｃＯｘｉｄｅＦｏｒＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ［Ｊ］．ＡＩＰＡｄｖａｎｃｅｓ，２０１６，６（１１）：１１５１１３．ＳｏｌａｒＣｅｌｌＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ［Ｊ］．ＳｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓａｎｄＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ，［２０］Ｐ．Ｇｅｎｅｖｅｅ，Ｆ．Ｄｏｎｓａｎｔｉ，Ｇ．Ｒｅｎｏｕ，Ｄ．Ｌｉｎｃｏｔ．Ｓｔｕｄｙｏｆｔｈｅ２０１４，７５：４７７～４８４．ＡｌｕｍｉｎｕｍＤｏｐｉｎｇｏｆＺｉｎｃＯｘｉｄｅＦｉｌｍｓＰｒｅｐａｒｅｄｂｙＡｔｏｍｉｃ［３３］Ｓ．Ｋａｈｒａｍａｎ，Ｈ．Ｍ．ａｋｍａｋ，Ｓ．ｅｔｉｎｋａｙａ，Ｆ．Ｂａｙａｎｓａｌ，Ｈ．ＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎａｔＬｏｗＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ［Ｊ］．ＡｐｐｌｉｅｄＳｕｒｆａｃｅＡ．Ｃｅｔｉｎｋａｒａ，Ｈ．Ｓ．Ｇｕｄｅｒ．ＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＺｎＯＴｈｉｎＦｉｌｍｓ · ７１２ · 材料科学与工程学报ＤｏｐｅｄｂｙＶａｒｉｏｕｓＥｌｅｍｅｎｔｓ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＣｒｔａｌＧｒｏｗｔｈ，ｙｓ２０１３，３６３：８６～９２．［３４］Ｘ．Ｑｉａｎ，Ｙ．Ｑ．Ｃａｏ，Ｂ．Ｌ．Ｇｕｏ，Ｈ．Ｆ．Ｚｈａｉ，Ａ．Ｄ．Ｌｉ．２０１８年１０月０２１２０２．［４７］Ａ．Ｓｒｅｅｄｈａｒ，Ｊ．Ｈ．Ｋｗｏｎ，Ｊ．Ｙｉ，Ｊ．Ｓ．Ｇｗａｇ．ＩｍｐｒｏｖｅｄＰｈｙｓｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＡｌ－ＤｏｐｅｄＺｎＯＴｈｉｎＦｉｌｍｓＤｅｐｏｓｉｔｅｄｂｙＭａｇｎｅｔｒｏｎＳｐｕｔｔｅｒｉｎｇ［Ｊ］．ＣｅｒａｍｉｃｓｉｌｍｓＵｓｉｎｇＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆＡｌ－ＤｏｐｅｄＺｎＯＦＵｎｂａｌａｎｃｅｄＲＦＡｌｕｍｉｎｕｍＩｓｏｐｒｏｐｏｘｉｄｅａｓｔｈｅＡｌＰｒｅｃｕｒｓｏｒ［Ｊ］．ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，２０１６，４２（１３）：１４４５６～１４４６２．Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，２０１３，１９（４－６）：１８０～１８５．［４８］Ｙ．Ｊ．Ｃｈｏｉ，Ｓ．Ｃ．Ｇｏｎｇ，Ｄ．Ｃ．Ｊｏｈｎｓｏｎ，Ｓ．Ｇｏｌｌｅｄｇｅ，Ｇ．Ｙ．［３５］Ｔ．Ｔｙｎｅｌｌ，Ｈ．Ｙａｍａｕｃｈｉ，Ｍ．Ｋａｒｉｎｅｎ，Ｒ．Ｏｋｚａｋｉ，Ｉ．ｐｐＹｅｏｍ，Ｈ．Ｈ．Ｐａｒｋ．ＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｔｈｅＥｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃＴｅｒａｓａｋｉ．ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆＡｌ－ＤｏｐｅｄＺｎＯＴｈｉｎＦｉｌｍｓｉｎＦｉｌｍｓＩｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅＳｈｉｅｌｄｉｎｇＥｆｆｅｃｔｉｖｅｎｅｓｓｏｆＡｌ－ＤｏｐｅｄＺｎＯＴｈ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＶａｃｕｕｍＳｃｉｅｎｃｅ＆ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＡ：Ｖａｃｕｕｍ，ＤｅｐｏｓｉｔｅｄｂｙＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．ＡｐｐｌｉｅｄＳｕｒｆａｃｅＳｕｒｆａｃｅｓ，ａｎｄＦｉｌｍｓ，２０１３，３１（１）：０１Ａ１０９．Ｓｃｉｅｎｃｅ，２０１３，２６９：９２～９７．［３６］Ｓ．Ｓ．Ｌｏ，Ｄ．Ｈｕａｎｇ，Ｃ．Ｈ．Ｔｕ，Ｃ．Ｈ．Ｈｏｕ，Ｃ．Ｃ．Ｃｈｅｎ．［４９］Ｓ．Ｌ．Ｑｕ，Ｙ．Ｌ．Ｓｏｎｇ，Ｈ．Ｆ．Ｌｉｕ，Ｙ．Ｘ．Ｗａｎｇ，Ｙ．Ｃ．Ｇａｏ，ｒｉａｔｉｏｎｓｏｆＡｌ－ＤｏｐｅｄＺｎＯＲａｍａｎＳｃａｔｔｅｒｉｎｇａｎｄＢａｎｄ－ＧａｐＶａＳ．Ｔ．Ｌｉｕ，Ｘ．Ｒ．Ｚｈａｎｇ，Ｙ．Ｌ．Ｌｉ，Ｄ．Ｂ．Ｚｈｕ．ＡＴｈｅｏｒｅｔｉｃａｌＮａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓＳｙｎｔｈｅｓｉｚｅｄｂｙａＣｈｅｍｉｃａｌＣｏｌｌｏｉｄＰｒｏｃｅｓｓ［Ｊ］．ａｎｄＥｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌＳｔｕｄｙｏｎＯｐｔｉｃａｌＬｉｍｉｔｉｎｇｉｎＰｌａｔｉｎｕｍＪｏｕｒｎａｌｏｆＰｈｙｓｉｃｓＤ：ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ，２００９，４２（９）：０９５４２０．Ｎａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ［Ｊ］．ＯｐｔｉｃｓＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，２００２，２０３（３）：［３７］Ａ．Ｎ．Ｍａｌｌｉｋａ，Ａ．ＲａｍａｃｈａｎｄｒａＲｅｄｄｙ，Ｋ．ＳｏｗｒｉＢａｂｕ，Ｋ．Ｖ．２８３～２８８．Ｒｅｄｄｙ．ＳｙｎｔｈｅｓｉｓａｎｄＯｐｔｉｃａｌＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆＡｌｕｍｉｎｕｍ［５０］Ａ．Ａ．Ａｌ－Ｇｈａｍｄｉ，Ｏ．Ａ．Ａｌ－Ｈａｒｔｏｍｙ，Ｍ．ＥｌＯｋｒ，Ａ．Ｍ．ＤｏｐｅｄＺｎＯＮａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓ［Ｊ］．ＣｅｒａｍｉｃｓＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，２０１４，４０Ｎａｗａｒ，Ｓ．Ｅｌ－Ｇａｚｚａｒ，Ｆ．Ｅｌ－Ｔａｎｔａｗｙ，Ｆ．Ｙａｋｕｐｈａｎｏｇｌｕ．（８）：１２１７１～１２１７７．ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＡｌＤｏｐｅｄＺｎＯＴｈｉｎＦｉｌｍｓ［Ｊ］．［３８］Ｈ．Ｓｅｒｉｅｒ，Ｍ．Ｇａｕｄｏｎ，Ｍ．Ｍｅｎｅｔｒｉｅｒ．Ａｌ－ＤｏｐｅｄＺｎＯＰｏｗｄｅｒｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ：ＡｌＳｏｌｕｂｉｌｉｔｉｍｉｔａｎｄＩＲＡｂｓｏｒｔｉｏｎｙＬｐＳｐｅｃｔｒｏｃｈｉｍｉｃａＡｃｔａＰａｒｔＡ：ＭｏｌｅｃｕｌａｒａｎｄＢｉｏｍｏｌｅｃｕｌａｒＳｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ，２０１４，１３１：５１２～５１７．Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ［Ｊ］．ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＳｃｉｅｎｃｅｓ，２００９，１１（７）：１１９２～１１９７．［５１］Ｚ．Ｌａｇｈｆｏｕｒ，Ｔ．Ａｊａｍｍｏｕｒｉ，Ｓ．Ａａｚｏｕ，Ｓ．Ｒｅｆｋｉ，Ｄ．Ｖ．ｊ［３９］Ｆ．Ｌ．Ｚｈａｏ，Ｊ．Ｃ．Ｄｏｎｇ，Ｎ．Ｎ．Ｚｈａｏ，Ｊ．Ｗｕ，Ｄ．Ｄ．Ｈａｎ，Ｊ．ｆｄｉｌ，Ａ．Ｕｌｓｈｉｎ，Ａ．Ｎｅｓｔｅｒｅｎｋｏ，Ａ．Ｒａｈｍｏｕｎｉ，Ｍ．Ａｂｄ－ＬｅｙａＦ．Ｋａｎｇ，Ｙ．Ｗａｎｇ．ＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｅｄＳｌａｏｕｉ，Ｚ．Ｓｅｋｋａｔ．ＳｔｒｕｃｔｕｒａｌａｎｄＯｐｔｏ－ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｉｎｃＯｘｉｄｅＴｈｉｎＦｉｌｍｓａｔＬｏｗＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔＡｌｕｍｉｎｕｍ－ＤｏｐｅｄＺＪ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓＡｌＤｏｐｅｄＺｎＯＳｐｕｔｔｅｒｅｄＴｈｉｎＦｉｌｍｓ［Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ［Ｊ］．ＲａｒｅＭｅｔａｌｓ，２０１６，３５（７）：５０９～５１２．Ｓｃｉｅｎｃｅ：ＭａｔｅｒｉａｌｓｉｎＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，２０１５，２６（９）：６７３０～６７３５．［４０］Ｙ．Ｃ．Ｃｈｅｎｇ．ＥｆｓｉｔｉｏｎＲａｐｉｄＴｈｅｒｍａｌｆｅｃｔｓｏｆＰｏｓｔ－Ｄｅｐｏ［５２］Ｎ．Ｈｉｒａｈａｒａ，Ｂ．Ｏｎｗｏｎａ－Ａｇｙｅｍａｎ，Ｍ．Ｎａｋａｏ．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆｕｍｉｎｕｍ－ＤｏｐｅｄＺｎＯＴｈＡｎｎｅａｌｉｎｇｏｎＡｌｉｎＦｉｌｍｓＧｒｏｗｎｂｙＡｌ－ＤｏｐｅｄＺｎＯＴｈｉｎＦｉｌｍｓａｓＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＳｕｂｓｔｒａｔｅＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．ＡｐｐｌｉｅｄＳｕｒｆａｃｅＳｃｉｅｎｃｅ，２０１１，ｉｔｉｚｅｄＳｏｌａｒＣｅｌｌ［Ｊ］．ＴｈｉｎＳｏｌｉｄＦｉｌｍｓ，２０１２，５２０ｉｎＤｙｅ－Ｓｅｎｓ２５８（１）：６０４～６０７．（６）：２１２３～２１２７．［４１］Ｊ．Ｐ．Ｗｉｆｆ，Ｙ．Ｋｉｎｅｍｕｃｈｉ，Ｋ．Ｗａｔａｒｉ．ＨａｌｌＭｏｂｉｌｉｔｉｅｓｏｆＡｌ－［５３］Ｃ．Ｍ．Ｍｕｉｖａ，Ｔ．．ＳＳａｔｈｉａｒａａｂｏｎｇ．ＥｆｆｅｃｔｏｆＤｏｐｉｎｇｊ，Ｋ．ＭａａｎｄＧａ－ＤｏｐｅｄＺｎＯＰｏｌｒｔａｌｓ［Ｊ］．ＭａｔｅｒｉａｌｓＬｅｔｔｅｒｓ，２００９，６３ｙｃｙｓＣｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎｏｎｔｈｅＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＡｌｕｍｉｎｉｕｍＤｏｐｅｄＺｉｎｃＯｘｉｄｅ（２８）：２４７０～２４７２．ＴｈｉｎＦｉｌｍｓＰｒｅｐａｒｅｄｂｙＳｐｒａｙＰｙｒｏｌｉｓｆｏｒＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔｙｓ［４２］Ｋ．Ｓｈｉｒｏｕｚｕ，Ｔ．Ｋａｗａｍｏｔｏ，Ｎ．Ｅｎｏｍｏｔｏ，Ｊ．Ｈｏｏ．ｊＤｉｓｓｏｌｕｔｉｏｎＢｅｈａｖｉｏｒｏｆＡｌａｎｄＦｏｒｍａｔｉｏｎＰｒｏｃｅｓｓｏｆＺｎＡｌｈａｓｅｓｉｎＡｌｏｐｅｄＺｎＯＳｉｎｔｅｒｅｄＢｏｄｉｅｓ［Ｊ］．２Ｏ４Ｐ２Ｏ３－ＤＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ，２０１０，４９（１Ｒ）：０１０２０１．［ｉｕＣ．ＺｎＯＤｅｐｏｓｉｔｅｄｏｎＳｉ（１１１）４３］ＧａｎＸ．－Ｗ，ＷａｎｇＴ，ＷｕＨ，ＬｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．ｗｉｔｈＡｌｕｆｆｅｒＬａｙｅｒｂｙＡｔ２Ｏ３ＢＶａｃｕｕｍ，２０１４，１０７：１２０～１２３．［４４］Ｃ．Ｈ．Ａｈｎ，Ｓ．Ｙ．Ｌｅｅ，Ｈ．Ｋ．Ｃｈｏ．ＩｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆＧｒｏｗｔｈＥｌｅｃｔｒｏｄｅＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ［Ｊ］．ＣｅｒａｍｉｃｓＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，２０１１，３７（２）：５５５～５６０．［５４］Ｏ．Ｇｕｒｂｕｚ，Ｓ．Ｇｕｎｅｒ．ＲｏｌｅｏｆＡｎｎｅａｌｉｎｇＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｏｎｉｎＦｉｌｍｓＥｌｅｃｔｒｉｃａｌａｎｄＯｐｔｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＡｌ－ｄｏｐｅｄＺｎＯＴｈ［Ｊ］．ＣｅｒａｍｉｃｓＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，２０１５，４１（３）：３９６８～３９７４．［５５］Ｖ．Ｄｅｖｉ，Ｍ．Ｋｕｍａｒ，Ｄ．Ｋ．Ｓｈｕｋｌａ，Ｒ．Ｊ．Ｃｈｏｕｄｈａｒｙ，Ｄ．Ｍ．Ｐｈａｓｅ，Ｒ．Ｋｕｍａｒ，Ｂ．Ｃ．Ｊｏｓｈｉ．Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ，ＯｐｔｉｃａｌａｎｄＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＳｔｒｕｃｔｕｒｅＳｔｕｄｉｅｓｏｆＡｌＤｏｐｅｄＺｎｏＴｈｉｎＦｉｌｍｓ［Ｊ］．ＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＯｎＴｈｅＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＡｎｄＳｔｒｕｃｔｕｒａｌＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＳｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓａｎｄＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ，２０１５，８３：４３１～４３８．ｉｎＦｉｌｍｓＧｒｏｗｎｂｙＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＡｌ－ＤｏｐｅｄＺｎＯＴｈ［５６］Ｈ．Ｙｕａｎ，Ｂ．Ｌｕｏ，Ｄ．Ｙｕ，Ａ．Ｊ．Ｃｈｅｎ，Ｓ．Ａ．Ｃａｍｐｂｅｌｌ，Ｗ．Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．ＴｈｉｎＳｏｌｉｄＦｉｌｍｓ，２０１３，５４５：１０６～１１０．ｉｌｍｓＬ．Ｇｌａｄｆｅｌｔｅｒ．ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎｏｆＡｌ－ＤｏｐｅｄＺｎＯＦ［４５］Ｙ．Ｗｕ，Ｐ．Ｍ．Ｈｅｒｍｋｅｎｓ，Ｂ．Ｗ．Ｈ．ｖａｎｄｅＬｏｏ，Ｈ．Ｃ．Ｍ．ＵｓｉｎｇＯｚｏｎｅａｓｔｈｅＯｘｙｇｅｎＳｏｕｒｃｅ：ＡＣｏｍｐａｒｉｓｏｎｏｆＴｗｏＫｎｏｏｐｓ，Ｓ．Ｅ．Ｐｏｔｔｓ，Ｍ．Ａ．Ｖｅｒｈｅｉｅｎ，Ｆ．Ｒｏｏｚｅｂｏｏｍ，Ｗ．ｊＭｅｔｈｏｄｓｔｏＤｅｌｉｖｅｒＡｌｕｍｉｎｕｍ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＶａｃｕｕｍＳｃｉｅｎｃｅ＆Ｍ．Ｍ．Ｋｅｓｓｅｌｓ．ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＴｒａｎｓｐｏｒｔＡｎｄＡｌＤｏｐｉｎｇＥｆｆｉｃｉｅｎｃｙＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＡ：Ｖａｃｕｕｍ，Ｓｕｒｆａｃｅｓ，ａｎｄＦｉｌｍｓ，２０１２，３０（１）：ｉｎＮａｎｏｓｃａｌｅＺｎＯＦｉｌｍｓＰｒｅｐａｒｅｄｂｙＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ，２０１３，１１４（２）：０２４３０８．０１Ａ１３８．［５７］Ｔ．Ｆ．Ｗｅｉ，Ｙ．Ｌ．Ｚｈａｎｇ，Ｙ．Ｙａｎｇ，Ｒ．Ｑ．Ｔａｎ，Ｐ．Ｃｕｉ，Ｗ．［４６］Ｔ．Ｄｈａｋａｌ，Ｄ．Ｖａｎｈａｒｔ，Ｒ．Ｃｈｒｉｓｔｉａｎ，Ａ．Ｎａｎｄｕｒ，Ａ．ｅｇｒｅｇａｔｉｏｎｉｎＨｉｒａｔｕｒｅＪ．Ｓｏｎｇ．ＥｆｆｅｃｔｓｏｆＺｎＡｌｇｈＴｅｍｐｅ２Ｏ４Ｓ／Ｓｈａｒｍａ，Ｃ．Ｒ．Ｗｅｓｔｔｅ．ＧｒｏｗｔｈＭｏｒｌｏｇｙａｎｄＥｌｅｃｔｒｉｃａｌｇａｐｈｏＳｉｎｔｅｒｅｄＡｌ－ＤｏｐｅｄＺｎＯＳｐｕｔｔｅｒｉｎｇＴａｒｔｏｎＯｐｔｉｃａｌａｎｄｇｅＯｐｔｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＡｌ－ＤｏｐｅｄＺｎＯＴｈｉｎＦｉｌｍｓＧｒｏｗｎｂｙＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＤｅｐｏｓｉｔｅｄＴｈｉｎＦｉｌｍｓ［Ｊ］．ＳｕｒｆａｃｅａｎｄＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＶａｃｕｕｍＳｃｉｅｎｃｅ＆ＣｏａｔｉｎｇｓＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１３，２２１：２０１～２０６．ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＡ：Ｖａｃｕｕｍ，Ｓｕｒｆａｃｅｓ，ａｎｄＦｉｌｍｓ，２０１２，３０（２）：（下转第７１９页）第３６卷第５期唐超兰．铝钢复合界面金属间化合物生长行为 · ７１９ · ２００２，３３８：４４～５３．４结论［９］Ｗｅｉ－ＪｅｎＣｈｅｎｇ，Ｃｈａｕｒ－ＪｅｎｇＷａｎｇ．ＧｒｏｗｔｈｏｆＩｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃＬａｙｅｒｉｎｔｈｅＡｌｕｍｉｎｉｄｅＭｉｌｄＳｔｅｅｌＤｕｒｉｎｇＨｏｔ－ｄｉｉｎｇ［Ｊ］．ｐｐＳｕｒｆａｃｅ＆ＣｏａｔｉｎｇｓＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００９，２０４：８２４～８２．１．铝钢复合板在６００℃ 退火保温３０ｍｉｎ后，钢层［１０］Ｍ．Ｙ１ｌｍａｚ，Ｍ．Ｃｏｌ，Ｍ．Ａｃｅｔ．ＩｎｔｅｒｆａｃｅＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆ晶粒由明显的纤维状加工组织变为细的等轴再结晶Ａｌｕｍｉｎｕｍ／ｓｔｅｅｌＦｒｉｃｔｉｏｎ－ｗｅｌｄｅｄＣｏｍｐｏｎｅｎｔｓ［Ｊ］．Ｍａｔｅｒｉａｌｓ组织，当退火保温时间达到２４０ｍｉｎ时，界面无金属Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ，２００３，４９：４２１～４２９．［１１］吴铭方，司乃潮，王敬，王凤江．铁铝扩散钎焊偶界面反应层生长间化合物生成。ｎ时，界２．当退火温度为６１０℃ ，保温时间为３０ｍｉ面出现了不连续的金属间化合物，厚度约为３～５μｍ。且随着温度升高和保温时间的延长，界面金属间化合物逐渐增厚。当界面金属间化合物的厚度超过０６７μｍ时，其界面结合性能显著降低。９．３．铝钢复合界面金属间化合物的生长规律符合抛物线特性。由于Ｓｉ元素的扩散影响，金属间化合物的／ｍｏ生长激活能为Ｑ＝３２８．７２３ｋＪｌ。铝钢界面金属间化合物的厚度与退火工艺（温度与时间）的关系满足Ｘ１／２５５×１０ × ｅｘｐ［－３２８７２３／（ＲＴ）×ｔ］。＝５．６机理分析［Ｊ］．焊接学报，２０１１，３２（５）：２９～３３．［１２］Ｄ．Ｎａｏｉ，Ｍ．Ｋａｉｈａｒａ．ＧｒｏｗｔｈＢｅｈａｖｉｏｒｏｆＦｅ２Ａｌｕｒｉｎｇｊ５ＤＲｅａｃｔｉｖｅＤｉｆｆｕｓｉｏｎＢｅｔｗｅｅｎＦｅａｎｄＡｌａｔＳｏｌｉｄ－ｓｔａｔｅＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓ［Ｊ］．ＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＡ，２００７，４５９：３７５～３８２．［１３］Ｔ．Ｍａｉｔｒａ，Ｓ．Ｐ．Ｇｕｐｔａ．ＩｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃＣｏｍｐｏｕｎｄＦｏｒｍａｔｉｏｎｉｎＦｅ－Ａｌ－ＳｉＴｅｒｎａｒｔｅｍ：ＰａｒｔＩＩｙＳｙｓ［Ｊ］．ＭａｔｅｒｉａｌｓＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ，２００３，４９：２９３～３１１．［１４］ＳｔａｎｉｓｌａｗＪｏｚｗｉａｋ，ＫｒｚｚｔｏｆＫａｒｃｚｅｗｓｋｉ，ｅｔａｌ．ＫｉｎｅｔｉｃｓｏｆｙｓＲｅａｃｔｉｏｎｓｉｎＦｅＡｌＳｙｎｔｈｅｓｉｓＳｔｕｄｉｅｄｂｙｔｈｅＤＴＡＴｅｃｈｎｉｑｕｅａｎｄＪＭＡＭｏｄｅｌ［Ｊ］．Ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃｓ，２０１０，１８：１３３２～１３３７．［１５］曾祥勇，李龙，周德敬．轧制复合铝－铝－钢界面金属间化合物生长动力学［Ｊ］．金属热处理，２０１５，１０（４０）：２２～２８．参考文献［１］周德敬，尹林，等．轧制复合铝／不锈钢界面金属间化合物的生长动力学［９）：２４６１～２４６９．Ｊ］．中国有色金属学报，２０１２，２２（［２］张小军，赵嘉莹，刘慧，周德敬．退火对铝钢冷轧复合板组织和性能的影响［３９）：９３～９５．Ｊ］．金属热处理，２０１４，７（［３］王平，谢佩佩．钢－铝轧制复合界面化合物的抑制机理［Ｊ］．中国有色金属学报，２０１０，２０（１）：２８４～２８９．［４］宋群玲，孙勇，范启印．钢－铝轧制复合界面生成化合物的热力学计算及分析［４１）：１１４～１１７．Ｊ］．材料热处理技术，２０１２，１０（［５］周德敬，尹林，等．Ｓｉ含量对轧制复合铝钢层状复合材料界面化合物组织形貌的影响［３９）：４２～４８．Ｊ］．金属热处理，２０１４，１（［６］ＶｉｋａｓＪｉｎｄａｌ，Ｖ．Ｃ．Ｓｒｉｖａｓｔａｖａ．ＧｒｏｗｔｈｏｆＩｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃＬａｙｅｒａｔ／ａＲｏｌｌＢｏｎｄｅｄＩＦ－ｓｔｅｅｌｌｕｍｉｎｕｍＩｎｔｅｒｆａｃｅ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌｏｆｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００８，１９５：８８～９３．ＭａｔｅｒｉａｌｓＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＴｅ［７］Ａ．Ｂｏｕａｙａｄ，Ｃｈ．Ｇｅｒｏｍｅｔｔａ，Ａ．Ｂｅｌｋｅｂｉｒ，Ａ．ＡｍｂａｒＩｉ．ＫｉｎｅｔｉｃＩｎｔｅｒａｃｔｉｏｎｓＢｅｔｗｅｅｎＳｏｌｉｄＩｒｏｎａｎｄＭｏｌｔｅｎＡｌｕｍｉｎｉｕｍ［Ｊ］．ＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＡ，２００３，３６３：５３～６１．［８］ＳｈｉａｋｉＫｏｂａｙａｓｈｉ，ＴａｋａｏＹａｋｏｕ．ＣｏｎｔｒｏｌｏｆＩｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃｇｅＣｏｍｐｏｕｎｄＬａｙｅｒｓａｔＩｎｔｅｒｆａｃｅＢｅｔｗｅｅｎＳｔｅｅｌａｎｄＡｌｕｍｉｎｕｍｂｙＤｉｆｆｕｓｉｏｎ－ｔｒｅａｔｍｅｎｔ［Ｊ］．ＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＡ，［１６］Ｓ．Ｐ．Ｇｕｐｔａ．ＩｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃＣｏｍｐｏｕｎｄＦｏｒｍａｔｉｏｎｉｎＦｅ－Ａｌ－ＳｉＴｅｒｎａｒｔｅｍ：ＰａｒｔＩ［Ｊ］．ＭａｔｅｒｉａｌｓＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ，２００３，ｙＳｙｓ４９：２６９～２９１．［１７］Ｆｕ－ｃｈｅｎｇＹＩＮ，Ｍａｎ－ｘｉｕＺＨＡＯ，ｅｔａｌ．ＥｆｆｅｃｔｏｆＳｉｏｎＧｒｏｗｔｈａｃｔｉｏｎＢｅｔｗｅｅｎｋｉｎｅｔｉｃｓｏｆＩｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃＣｏｍｐｏｕｎｄｓＤｕｒｉｎｇＲｅＳｏｌｉｄＩｒｏｎａｎｄＭｏｌｔｅｎＡｌｕｍｉｎｕｍ［Ｊ］．ＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｆｆＣｈｉｎａ，２０１３，２３：５５６～５６１．ＮｏｎｆｅｒｒｏｕｓＭｅｔａｌｓＳｏｃｉｅｔｙｏ［ｒｅａｔｍｅｎｔｉｎａ１８］ＢｏＷｕ，ＬｏｎｇＬｉ，ｅｔａｌ．Ｅｆｆｅｃｔｏｆｓｕｒｆａｃｅｎｉｔｒｉｄｉｎｇｔｔｒｅｎｇｔｈｏｆｔｈｅａｌｕｍｉｎｕｍ／ｓｔｅｅｌｐｌａｔｅｏｎｔｈｅｉｎｔｅｒｆａｃｉａｌｂｏｎｄｉｎｇｓｓｔｅｅｌｃｌａｄｓｈｅｅｔｓｂｙｔｈｅｃｏｌｄｒｏｌｌｂｏｎｄｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓ［Ｊ］．ＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＡ．，２０１７，６８２：２７０～２７８．［１９］ＡＹａｈｉｒｏ，ＴＭａｓｕｉ，ｅｔａｌ．ＤｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＮｏｎｆｅｒｒｏｕｓＣｌａｄＰｌａｔｅａｎｄＳｈｅｅｔｂｙＷａｒｍＲｏｌｌｉｎｇｗｉｔｈＤｉｆｆｅｒｅｎｔＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｏｆｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，１９９１，３１（６）：６４７～６５４．Ｍａｔｅｒｉａｌｓ［Ｊ］．ＩｓｉｊＩ［２０］ＴｏｍｏｈｉｒｏＳａｓａｋｉ，ＴａｋａｏＹａｋｏｕ．ＦｅａｔｕｒｅｓｏｆＩｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃｕｍｉｎｕｍＦｏｉｌＣｏｍｐｏｕｎｄｓｉｎＡｌｕｍｉｎｉｚｅｄＳｔｅｅｌｓＦｏｒｍｅｄｕｓｉｎｇＡｌ［Ｊ］．Ｓｕｒｆａｃｅ＆ＣｏａｔｉｎｇｓＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２００６，２０１：２１３１～２１３９．［２１］ＱｉａｎＷＡＮＧ，Ｘｕｅ－ｓｏｎｇＬＥＮＧ，Ｔｉａｎ－ｈａｏＹＡＮＧ，Ｊｉｕ－ｃｈｕｎＹＡＮ．ＥｆｆｅｃｔｓｏｆＦｅ－ＡｌＩｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃＣｏｍｐｏｕｎｄｓｏｎＩｎｔｅｒｆａｃｉａｌｆＣｌａｄＭａｔｅｒｉａｌｓ［Ｊ］．ＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｆＮｏｎｆｅｒｒｏｕｓＢｏｎｄｉｎｇｏＭｅｔａｌｓＳｏｃｉｅｔｆＣｈｉｎａ，２０１４，２４：２７９～２８４．ｙｏ檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿檿ＺｎＯＴｈｉｎＦｉｌｍｓ［Ｊ］．ＳｕｒｆａｃｅａｎｄＣｏａｔｉｎｇｓＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１５，（上接第７１２页）［ｅｃｔｒｉｃａｌａｎｄＯｐｔｉｃａｌ５８］Ｑ．Ｑ．Ｈｏｕ，Ｆ．ＪＭｅｎｇ，Ｊ．Ｍ．Ｓｕｎ．ＥｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＡｌ－ＤｏｐｅｄＺｎＯＡｎｄＺｎＡｌｉｌｍｓＰｒｅｐａｒｅｄｂｙ２Ｏ４ＦＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｎａｎｏｓｃａｌｅｒｅｓｅａｒｃｈｌｅｔｔｅｒｓ，２０１３，８（１）：１４４．［５９］Ｅ．Ｇａｒｃ í ａ－Ｒａｍí ｒｅｚ，Ｍ．Ｍｏｎｄｒａａａｒｒｏ，Ｏ．Ｚｅｌａａ－Ａｎｇｅｌ．ｇｏｎ－ＣｈｐｙＢａｎｄＧａｌｉｎｇｉｎＰｈｏｔｏｃａｔａｌｔｉｃＡｃｔｉｖｉｔｎＺｎＯ－ＴｉＯ２ＴｈｉｎｐＣｏｕｐｙｙｉＦｉｌｍｓ［Ｊ］．ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＡ，２０１２，１０８（２）：２９１～２９７．［６０］Ａ．ＥｌＨｉｃｈｏｕ，Ｓ．Ｄｉｌｉｂｅｒｔｏ，Ｎ．Ｓｔｅｉｎ．ＩｎｆｌｕｅｎｃｅｏｆｔｈｅＡｌｕｍｉｎｕｍＩｎｃｏｒｒａｔｉｏｎｏｎｔｈｅＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＥｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｅｄｐｏ２７０：２３６～２４２．［６１］Ｋ．Ｒａｖｉｃｈａｎｄｒａｎ，Ｎ．Ｊ．Ｂｅｇｕｍ，Ｓ．Ｓｎｅｇａ，Ｂ．Ｓａｋｔｈｉｖｅｌ．ＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＳｐｒａｙｅｄＡｌｕｍｉｎｕｍ－ＤｏｐｅｄＺｉｎｃＯｘｉｄｅＦｉｌｍｓ—ＡＲｅｖｉｅｗ［Ｊ］．ＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＭａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇＰｒｏｃｅｓｓｅｓ，２０１６，３１（１１）：１４１１～１４２３．［６２］Ｓ．Ｓ．Ｍ．Ｈａｓｓａｎ，Ｗ．Ｉ．Ｍ．ＥｌＡｚａｂ，Ｈ．Ｒ．Ａｌｉ，Ｍ．Ｓ．Ｍ．Ｍａｎｓｏｕｒ．ＧｒｅｅｎＳｙｎｔｈｅｓｉｓａｎｄＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆＺｎＯＮａｎｏｐａｒｔｉｃｌｅｓｆｏｒＰｈｏｔｏｃａｔａｌｔｉｃＤｅｇｒａｄａｔｉｏｎｏｆＡｎｔｈｒａｃｅｎｅ［Ｊ］．ｙＡｄｖａｎｃｅｓｉｎＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅｓ：Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２０１５，６（４）：０４５０１２．Ｎａｎｏｓｃｉｅｎｃｅａｎｄ