讣告：中科院院士洪朝生逝世.pdf

讣 告 著名物理学家、我国低温物理和低温技术研究的开创者、 中国科学院理化技术研究所研究员、中国科学院院士洪朝生 先生因病医治无效，于 2018 年 8 月 19 日 10 时 10 分在北京 不幸逝世，享年 98 岁。 洪朝生先生 1940 年毕业于清华大学电机工程系，1945 年赴美国留学，1948 年获麻省理工学院博士学位，后在美国 普渡大学和荷兰莱顿大学卡末林 ·昂纳斯实验室工作。1951 年回国，任中国科学院应用物理所（物理所）副研究员、研 究员，兼清华大学、北京大学、中国科学技术大学物理系教 授。1978 年任中国科学院物理研究所副所长，1982 年任中 国科学院低温技术实验中心主任。1980 年当选为中国科学院 学部委员（院士）。 洪朝生先生于 1950 年在半导体锗单晶输运现象的实验 中发现杂质能级上的导电现象，提出半导体禁带中杂质导电 的概念，这一工作后被半导体物理界称之为“洪朝生效应”， 成为无序系统电子输运现象实验研究的开端，引发了国际上 对无序电子输运机制的探索。1953 年在中国科学院物理研究 所组建了国内第一个低温实验室，主持研制低温研究设备， 先后在国内首次实现了氢的液化和氦的液化，并使该技术在 国内得以推广，为我国科学研究，特别是“两弹一星”的成功 研制做出了贡献。1970 年代领导低温科研队伍，完成了大型 空间环境模拟系统 KM3 和 KM4 低温氦制冷系统的研制任务， 提供卫星上天的空间环境模拟试验条件，为我国航天事业的 发展做出了贡献。“KM4 大型航天环模设备的研制”获得 1985 年国家科技进步一等奖。 洪朝生先生是第三届全国人大代表，第五、六、七、八 届全国政协委员，曾任中国物理学会副理事长，中国制冷学 会副理事长，国际低温工程委员会副主席。1978 年获全国科 技大会表彰的全国科技工作者，1989 年获中国物理学会胡刚 复物理奖，2000 年获国际低温工程理事会门德尔松奖，2011 年获美国低温工程和低温材料大会塞缪尔·科林斯奖。 定于 2018 年 8 月 22 日—8 月 24 日在中国科学院理化技 术研究所 1 号楼 407 会议室设立洪朝生先生追思堂，供各界 人士吊唁。 洪朝生先生遗体告别仪式定于 2018 年 8 月 25 日上午 10： 00 在八宝山殡仪馆东礼堂举行。 洪朝生先生治丧委员会 2018 年 8 月 19 日 联系人： 冯丰，82543770，15120095080，fengfeng@mail.ipc.ac.cn 刘世雄，82543601，18910760838，liushx@mail.ipc.ac.cn 低温材料及应用超导研究中心 李来风，82543698，13501157463，lfli@mail.ipc.ac.cn 黄荣进，82543477，13811815171，huangrongjin@mail.ipc.ac.cn 传真：010-62554670 一、致唁电、送花圈的单位和个人，请于 2018 年 8 月 23 日 15:00 之前联系，以便登记、办理相关事宜。 二、25 日上午 8:45 在理化所 1 号楼门前发车前往八宝山殡仪馆， 如需乘车前往请联系登记。